公开(公告)号：CN102007585A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113806.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。

公开(公告)号：CN116158204A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052288.5

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  马场晴之 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎 ,  青木健

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种特性不均匀小的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括泄漏电流得到减少的电容器，该半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成第一导电体；在第一导电体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；在第三绝缘体上形成第二导电体；以及在第二导电体及第三绝缘体上沉积第四绝缘体，其中，包含在第三绝缘体中的氢通过进行加热处理扩散并吸收到第二绝缘体，第一导电体为电容器的一个电极，第二导电体为电容器的另一个电极，并且，第二绝缘体及第三绝缘体为电容器的电介质。

公开(公告)号：CN116075923A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180057428.8

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎

IPC: H01L21/31

Abstract: 提供一种膜厚度均匀性良好的金属氧化物。本发明的一个方式是一种在SIMS分析中氢浓度得到降低的金属氧化物的制造方法，包括：导入前驱物及载体吹扫气体的第一工序；停止导入前驱物并排出前驱物的第二工序；导入氧化性气体的第三工序；停止导入氧化性气体并排出氧化性气体的第四工序。第一工序至第四工序都在210℃以上且300℃以下的温度范围内进行。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。

公开(公告)号：CN115152006A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016355.8

申请日：2021-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  惠木勇司 ,  挂端哲弥

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物的沉积方法。本发明的一个方式包括如下步骤：将第一前驱物提供至腔室的第一工序；将第二前驱物提供至腔室的第二工序；将第三前驱物提供至腔室的第三工序；以及在第一工序后、第二工序后及第三工序后都将氧化剂引入腔室内的第四工序。第一至第三前驱物分别是不同种类的前驱物，在第一至第四工序中，将配置在腔室中的衬底加热至300度以上且第一至第三前驱物的分解温度以下的温度。

公开(公告)号：CN114830324A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080085779.5

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  神保安弘 ,  惠木勇司

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。该存储装置通过如下步骤形成：在衬底上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；形成贯穿第一绝缘体、第二绝缘体以及第三绝缘体的开口；在开口中在第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面以及第三绝缘体的侧面的内侧形成第四绝缘体；在第四绝缘体的内侧形成氧化物半导体；去除第二绝缘体；以及在第一绝缘体与第三绝缘体之间形成导电体，并且第四绝缘体通过多次的如下循环形成，该循环包括：对配置有衬底的处理室供应包含硅的气体及氧化性气体的第一步骤；停止对处理室供应包含硅的气体的第二步骤；以及在处理室内生成包含氧化性气体的等离子体的第三步骤。

公开(公告)号：CN102944950A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210282303.8

申请日：2007-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石谷哲二 ,  西毅 ,  惠木勇司

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/139

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F2001/133531 ,  H01L51/5281 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的目的是：通过简单和容易的方法提供一种具有高对比度的显示装置。本发明的另一目的是以低成本制造这种具有高对比度的显示装置。本发明涉及显示装置，其包括：第一基板；第二基板；包括显示元件的层，其中，包括显示元件的层插入在第一基板和第二基板之间；和在第一基板或第二基板的外侧的堆叠偏振器。堆叠偏振器以平行尼科耳状态排列；以及堆叠偏振器的消光系数的波长分布彼此是不同的。

公开(公告)号：CN1991507B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610156270.7

申请日：2006-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石谷哲二 ,  惠木勇司 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02B5/30 ,  G09F9/35 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02B5/3025 ,  G02B27/28 ,  G02F1/133528 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/133638

Abstract: 本发明的目的是以简单的方法提供具有高对比度的显示器件。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高功能的显示器件。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示器件中，在其外侧堆叠设置相互的吸收轴的消光系数不同的偏振片。此时，堆叠的偏振片被配置为平行尼科耳状态。另外，在堆叠的偏振片和衬底之间可以具有波板以及相位差板。

公开(公告)号：CN102345115A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN101013223B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200710007377.X

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石谷哲二 ,  惠木勇司 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02B5/3025 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/13356

Abstract: 本发明的目的是以简单的方法提供具有高对比度的显示装置。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高性能的显示装置。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示装置中，在其外侧设置包含层叠的偏振器的层。此时，可视一侧的层叠的偏振器被配置为偏离平行尼科耳状态。另外，在层叠的偏振器和衬底之间可以具有相位差膜。