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公开(公告)号：CN110071219B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811630083.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN111954932A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201980009097.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。
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公开(公告)号：CN107958959B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711231697.3
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备及照明装置。本发明提供一种有利于实用化的使用荧光发光及磷光发光的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光发光物质的第一发光层以及包含形成激基复合物的两种有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，来自第一发光层的发光在比来自第二发光层的发光更短波长一侧具有发射峰。
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公开(公告)号：CN105336791B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510496344.0
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105474749B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201480045915.2
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/524 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有利于实用化的使用荧光发光及磷光发光的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光发光物质的第一发光层以及包含形成激基复合物的两种有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，来自第一发光层的发光在比来自第二发光层的发光更短波长一侧具有发射峰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694006B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210078793.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106847929A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710111162.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
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公开(公告)号：CN103843145B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280047612.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F2202/10 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
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公开(公告)号：CN105981191A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480065826.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0097 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L2251/5376
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN105794321A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065816.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种使用荧光及磷光且有利于实用化的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光物质的第一发光层、具有空穴传输性的物质及具有电子传输性的物质的分离层以及包含两种形成激基复合物的有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，从第一发光层发射的光在比第二发光层短波长一侧具有发射光谱峰的发光元件是更有效的。
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