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公开(公告)号：CN1381836A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02106250.1
申请日：2002-04-08
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明涉及光信息记录方法、装置及媒体。信息记录方法使用功率电平为Pe的连续激光记录或重写信号宽度为nT的0信号,使用光脉冲列记录或重写信号宽度为nT的1信号,光脉冲列构成为:初始脉冲部分fp,功率电平Pw,脉冲宽度xT;多脉冲部分mp,包括高电平脉冲及低电平脉冲(如果n－n’>1),高电平脉冲为(n－n’)次,功率电平Pw’,脉冲宽度yT,低电平脉冲位于两个高电平脉冲间,功率电平Pb,脉冲宽度(1－y)T;端脉冲部分ep,功率电平Pb’,脉冲宽度zT;T为时标周期,n及n’为正整数,n’ Pe>Pb或Pb’。至少x、y、z之一处于下列范围:0.35≤x≤0.75,0.30≤y≤0.55,0.35≤z≤0.70。
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公开(公告)号：CN100513193C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200480009194.6
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C23C14/3414 , G11B7/243 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B7/268 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种初期结晶化容易、即使是在与DVD-ROM同容量并且记录线速为10倍或10倍以上的高线速下记录灵敏度也良好并可以重写记录，同时保存可靠性也优异的相变型信息记录媒体。为此，具有基板、和在该基板上以下面的顺序或相反的顺序的任意一种顺序至少具有第1保护层、相变记录层、第2保护层以及反射层而形成，上述相变记录层为SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ(式中，X表示选自Ag、Zn、In以及Cu的至少1种元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的组成比率(原子%)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100)。
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公开(公告)号：CN101371305A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002984.5
申请日：2007-01-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B2007/24314 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种光学记录介质，其中产生数量足够小的引起错误的短标记以实现优异的高级记录特性，并且其中非晶标记的形状均匀。该光学记录介质包括：第一保护层；含Sb作为主要成分的记录层；第二保护层；和反射层，依次设置该第一保护层、记录层、第二保护层、和反射层，其中光穿过该介质以进行信息的记录和再现，其中，该第一保护层和/或第二保护层由结晶氧化物形成，该第一保护层和第二保护层都与记录层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101208744A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680019730.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
Abstract: 用标记长度记录方法记录信息的光记录方法，其中非晶标记和晶体间隙仅记录在具有导向槽的基底的槽中，标记和间隙的临时长度为nT(T表示基准时钟周期；n表示自然数)。间隙至少通过擦除功Pe率的脉冲形成；所有的4T或更长的标记通过交替照射功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉冲且Pw＞Pb的多脉冲形成；并且Pe和Pw满足以下的关系：0.15≤Pe/Pw≤0.4，且0.4≤τw/(τw+τb)≤0.8，其中τw表示加热脉冲的长度之和，τb表示冷却脉冲的长度之和。
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公开(公告)号：CN101065799A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580038629.4
申请日：2005-09-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
Abstract: 一种光记录介质的记录方法，包括：用具有m个脉冲组的激光照射介质，其中每个脉冲组都包括加热脉冲和冷却脉冲，其中m是自然数；并且用激光在扫描速度v下扫描所述介质来记录长度均为nT的标记，其中n是3或更大的自然数，T是时钟周期，其中最后冷却脉冲的长度TCPn根据扫描速度v使用下述函数来确定：在v＜v0时，TCPn/T＝f1，n(v)；在v≥v0时，TCPn/T＝f2，n(v)，其中f1，n(v)和f2，n(v)均表示扫描速度v的连续函数，并满足异常标记的存在比例是1.0×10－4或更少的条件，而且v0是可选择的扫描速度。
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公开(公告)号：CN101053027A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037779.3
申请日：2005-09-07
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种光学记录介质包含由其中含有至少四种元素Ga、Sb、Sn和Ge并且转变线速度为20m/s－30m/s的相变记录材料组成的记录层，并且当记录/复制光的波长处于650nm－665nm范围内并且记录线速度为20m/s－28m/s时，记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式：2.0≤Nc≤3.0，4.0≤Kc≤5.0，4.0≤Na≤5.0，和2.5≤Ka≤3.1，并且在20m/s－28m/s的记录线速度范围内可记录信息。
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公开(公告)号：CN1886268A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034973.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2403 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供一种适合于DVD6～12倍速高速记录，且高温高湿试验后的反射率降低小的重写型光记录媒体，该光记录媒体在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相与非晶体相的相变化来进行重写记录，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，并且满足Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％的下式，在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，20≤－2.75α+0.708β+1.18γ－7.56≤43且α/(α+β)≤0.12。
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公开(公告)号：CN1534620A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310125199.2
申请日：2003-12-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314
Abstract: 一种根据标志长度调制通过辐射脉冲式光束到相变型光记录介质的晶相变记录层上形成记录标记的记录方法，所述相变型光记录介质至少由相变记录层和基底上的反射层组成。当形成尺寸小于或等于预定尺寸N的记录标记时，所述记录方法辐射由单个记录脉冲形成的光束，所述预定尺寸N依据参考尺寸设置，所述参考尺寸是所述光束的聚束点直径与所述光束在其功率上升和下降的时间常数之和的时间之内移动的距离之和，以及当形成尺寸大于所述预定尺寸N的记录标记时，辐射由较多数目记录脉冲形成的光束。
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