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公开(公告)号：CN102255242B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110110011.1
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102439806A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号：CN101765951A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101640377A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910166937.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18394 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光元件，其被配置成以在垂直于基底的方向发射光，其包括基底，该基底的主平面的法向相对于[100]结晶取向的一个方向向[111]结晶取向的一个方向倾斜；和台面结构，其形成于基底上、具有带氧化物的窄化结构、且氧化物至少由氧化可被选择性氧化的层的一部分形成的氧化物组成，其中所述氧化物包含铝且包围电流通道区域，其中，平行于基底的台面结构的截面平行于基底表面且同时正交于[100]结晶取向的一个方向和[111]结晶取向的一个方向，并且，穿过电流通道区域中心的第一方向的长度大于平行于所述基底表面并正交于所述第一方向的第二方向的长度。
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公开(公告)号：CN101356702A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001407.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN101346858A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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