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公开(公告)号：CN106463433B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580031246.8
申请日：2015-06-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压Vth；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。
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公开(公告)号：CN101395246A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007193.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种射束检测构件及使用了该构件的射束检测器，能够高精度且长期稳定地检测放射光束和软X线射束等的位置及其强度分布，还有它们时间的变化，能够用比现有的检测装置更低的成本制造。用于检测射束的位置和强度的射束检测构件(2)，照射射束的射束照射部由多晶金刚石(C)膜(4)构成，该多晶金刚石(C)膜含有X/C＝0.1～1000ppm至少选自硅(Si)、氮(N)、锂(Li)、铍(Be)、硼(B)、磷(P)、硫(S)、镍(Ni)、钒(V)中的一种或两种以上的元素(X)，且具有当向该多晶金刚石膜(4)照射上述射束时发光(8)、(8a)的发光功能。通过这种射束检测构件(2)和观测上述发光现象的发光观测装置(3)、(3a)构成射束检测器(1)。
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公开(公告)号：CN100433369C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510009027.8
申请日：2005-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01J1/429 , G01J2001/0276 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种紫外线传感器，它包括衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极。此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。一种制造紫外线传感器的方法，它包括下列步骤：在衬底上形成用作探测器的金刚石层；在金刚石层上形成至少一对表面电极；以及在存在于金刚石层表面处的探测区的至少一个子区上，形成由氧化物或氟化物组成的覆盖层，此子区被从表面电极暴露。
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公开(公告)号：CN1875129A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031912.X
申请日：2004-10-27
IPC: C23C16/455 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45589 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02186 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612 , H01L21/67017
Abstract: 本发明的课题为，以简略且低成本的结构，使向基材上的均匀的气体供给成为可能，而实现高质量的表面处理。作为其解决的方法，是一边将基材(12)朝特定方向搬送，一边向其表面供给表面处理用气体，由此进行基材(12)的表面处理，作为所述表面处理用气体的供给机构，是使具有圆筒状外周面的旋转体(24)的上述外周面，与所述基材(12)的表面、或设置于从上述基材相离的位置的对向构件(20)，隔有间隙(23)而相对向，使之以与所述基材(12)的搬送方向大致垂直的方向的轴为中心而旋转。由此旋转，使所述表面处理用气体卷入旋转体(24)的外周面，导向所述间隙(23)，从此间隙(23)向所述基材(12)的表面送出表面处理用气体。
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公开(公告)号：CN1674301A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510009027.8
申请日：2005-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01J1/429 , G01J2001/0276 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种紫外线传感器，它包括衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极。此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。一种制造紫外线传感器的方法，它包括下列步骤：在衬底上形成用作探测器的金刚石层；在金刚石层上形成至少一对表面电极；以及在存在于金刚石层表面处的探测区的至少一个子区上，形成由氧化物或氟化物组成的覆盖层，此子区被从表面电极暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107735885A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680038052.5
申请日：2016-06-02
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的铁空气二次电池用负极是用于铁空气二次电池的负极，具有以铁或铁合金为主成分的金属粉末的粒子之间被金属键接合而成的三维结合体，气孔率为30％以上且70％以下。本发明的铁空气二次电池用负极的制造方法，具备如下工序：混合以铁或铁合金为主成分的金属粉末和树脂的工序；成形由上述混合工序得到的混合物的工序；烧结由上述成形工序得到的成形体的工序。
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公开(公告)号：CN105659372A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057464.4
申请日：2014-12-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G01N22/00 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N27/04 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定，进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括：第一工序，在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止照射所述激励光，测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化；以及第二工序，根据所述反射率的变化，计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数，对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。
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公开(公告)号：CN100378974C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200310114841.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。
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公开(公告)号：CN1627535A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100654.8
申请日：2004-12-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/1602 , H01L29/78
Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。
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公开(公告)号：CN1499620A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114841.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。
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