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公开(公告)号:CN101548589B
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN200880000992.0
申请日:2008-01-22
IPC: H05K7/20 , H02K9/19 , H01L23/36 , H02K11/00 , H01L23/473
CPC classification number: H05K7/20927 , H01L21/4878 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H02K5/20 , H02K9/19 , H02K11/33 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发热体冷却构造以及具备该发热体冷却构造的驱动装置,其中发热体冷却构造为,在与发热体热连接的散热面(53a)和、与散热面(53a)相对置配置的对置面之间,形成冷却剂空间(R),在冷却剂空间(R)中,并列配置多个从散热面(53a)朝向对置面立设的散热片(56),在多个散热片(56)相邻彼此间,形成有冷却剂流过的片间通路(Rp),散热片(56),形成为沿着冷却剂的流通方向具有多个弯曲部的蛇行状,并且散热片(56)的两侧壁面(56c、56d),形成为相互不同的形状。
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公开(公告)号:CN101622708B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200880006047.1
申请日:2008-02-15
Applicant: 爱信艾达株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC classification number: H02M7/003 , H01L23/473 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具备对于多个基板的各个开关元件和二极管元件在冷却剂的流动方向上串联配置的构成,能够适当地冷却全部基板的开关元件的构成的半导体模块。在冷却剂流路(7)内具备用于形成在规定方向平行的冷却剂流的平行流形成单元(8),各基板(3)的开关元件(4)和二极管元件(5)在冷却剂的流动方向(D)上串联配置,且开关元件(4)和连接端子区域(6),在与冷却剂的流动方向(D)垂直的垂直方向(C)上被配置在不同位置,一对基板(3)在冷却剂的流动方向(D)上串联配置,且在一个基板(3)上在垂直方向(C)的一侧配置开关元件(4),在另一个基板(3)上在垂直方向(C)的一侧配置连接端子区域(6)。
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公开(公告)号:CN101933139A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200880120955.3
申请日:2008-12-09
Applicant: 爱信艾达株式会社 , 富士电机系统株式会社
CPC classification number: H01L23/24 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/3754 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/4903 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明提供如下的半导体装置及其制造方法:能够防止在激光焊接中产生的飞溅物附着于电路图案或半导体芯片,能够防止电气特性的劣化。利用焊锡(13)在形成于陶瓷(4)上的铜箔上固定连接导体(14),在该连接导体(14)的上部面(P)的下方填充树脂(17a)并进行激光焊接,然后填充树脂(17b),由此,能够防止在激光焊接中产生的飞溅物(21)附着于电路图案(5)、(6)或半导体芯片(8)的情况。由此,能够防止电气特性劣化。
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