公开(公告)号：CN101645488A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910161731.3

申请日：2009-08-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  米屋伸英 ,  大江贵裕

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。

公开(公告)号：CN101577312A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910149633.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/105

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造工艺，包括：把具有凸纹图案的印模压到衬底表面上以在所述衬底表面上形成矩形凹陷图案的第一压印步骤；通过印刷，把包括半导体材料或导电材料的施加材料提供到所述矩形凹陷图案中的第二步骤；和固化通过印刷供应的所述施加材料的第三步骤。

公开(公告)号：CN1169225C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文 ,  达拉姆·派尔·古赛恩

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1146059C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。

公开(公告)号：CN1422443A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。