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公开(公告)号：CN104392875B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410558893.1
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN101714496A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910218902.1
申请日：2009-11-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所述前基板(1)和后基板(2)中至少一个涂覆有荧光粉层(4)；所述电子源由上电极(7)、绝缘膜(6)和下电极(5)构成；所述下电极(5)平铺在后基板(2)表面，绝缘膜(6)平铺在下电极(5)表面，上电极(7)平铺在绝缘膜(6)表面。本发明的平面气体激发光源与现有的无汞Xe放电型平面荧光灯相比，本发明的平面气体激发光源可提高发光效率，降低工作电压。同时，本发明的平面气体激发光源结构简单，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101383258A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810231843.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构，即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成，利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压、宽的禁带宽度及高的热传导系数，以改进导电膜的电子发射性能，从而提高场发射电子源的发射电流密度及电子发射率。
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公开(公告)号：CN101355000A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810151045.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于平板显示器件的多层薄膜表面传导电子发射电子源。多层薄膜表面传导电子发射电子源由器件电极和多层薄膜传导电子发射薄膜构成，各层薄膜采用不同的材料或不同的工艺参数制作，薄膜物理性质不同，具有不同的膨胀系数或是热应力参数。在薄膜上施加电压时，由于多层薄膜物理性质不同，易产生传导电子发射所需的纳米级裂缝。薄膜产生裂缝后具有传导电子发射效果。可应用于平板显示器件阴极。
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公开(公告)号：CN101282610A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810018163.7
申请日：2008-05-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种平面荧光灯的调光方法，其特征在于，对输入的视频图像进行APL检测，当检测到输入图像的平均亮度等级较高时，通过调节输入电压和采用一种或者几种频率的脉冲信号相混合的方法，并调节该混合频率脉冲期在整个工作周期中的比例来实现调光。本发明一方面可以避免由于在停止期出现多次振荡导致电路损耗增加，从而降低了系统功耗，提高了发光效率；另一方面可以实现宽范围的亮度调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964084A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111155914.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种金刚石通孔阵列结构及其制备方法和应用，所述金刚石通孔阵列结构包括：预设厚度的金刚石；所述金刚石设置有通孔阵列，所述通孔阵列的通孔内灌注有电极，所述电极用于实现金刚石上下表面的短垂直电互联。本发明的结构，既可利用金刚石超高热导率的特点提高器件的散热性能，又可通过在金刚石通孔内部注入电极材料，实现上下芯片层的短垂直互联，提高金刚石芯片更好的电学性能和集成密度。
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公开(公告)号：CN111270249A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010214903.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种铝基材料及降低二次电子发射系数的表面处理方法，铝基材料的表面为多孔结构，孔洞孔径为50-500nm，孔洞深度为200nm-5000nm，孔洞密度为8×106/mm2-2×108/mm2。处理方法包括相继采用丙酮、乙醇和去离子水对铝基材料进行超声波清洗、先后采用碱性溶液和去离子水对铝基材料进行清洗、先后采用硝酸溶液和去离子水对铝基材料进行清洗、先后采用阿洛丁溶液和去离子水对铝基材料进行清洗，最后对铝基材料进行烘干，得到具有多孔结构表面的铝基材料。本发明能够显著降低铝基材料二次电子发射系数，并获得好的二次电子发射稳定性，实现防腐蚀处理与抑制微放电工艺同步完成。
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公开(公告)号：CN108374151B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810183512.4
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法，包括基底以及在基底上由上至下依次设置的氧化锌掺杂氧化镁膜层和金属掺杂氧化镁膜层，金属掺杂氧化镁膜层中单纯掺杂金属材料或者共掺杂金属材料与氧化锌，单纯掺杂金属材料的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为6％‑30％，共掺杂金属材料与氧化锌的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为5％‑25％，锌的原子数百分含量不高于5％；氧化锌掺杂氧化镁膜层中所形成的Mg‑Zn‑O复合物晶粒的尺寸为8nm‑30nm，锌的原子数百分含量为0.2％‑8％，采用溅射法进行制备，能有效提高二次电子发射系数，增强电子发射的稳定性。
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公开(公告)号：CN110335798A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910544986.1
申请日：2019-06-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种金刚石输能窗及其制备方法，金刚石输能窗包括上、下金属片、金刚石圆片及中间层。该结构对应的制备方法，包括：对上金属片、下金属片和金刚石圆片表面进行化学机械抛光处理、清洗；在金刚石圆片表面的窗口区域制作掩膜；对上金属片、下金属片和金刚石圆片表面进行反溅射；在上、下金属片和金刚石圆片表面沉积中间层材料；去除镀膜后的金刚石圆片表面的掩膜；利用热压键合使溅射有中间层材料的上金属片、下金属片和金刚石圆片紧密结合，得到金刚石输能窗。此外，在超高真空下使用表面激活键合的方法，可得到无中间层的金刚石输能窗。本发明解决了在制备金刚石表面金属化、焊接困难以及可能发生金刚石产生裂纹或断裂的问题。
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公开(公告)号：CN107988576A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711240415.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C23C14/081 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化镁金属陶瓷二次电子发射薄膜及其制备方法。该二次电子发射薄膜由金属缓冲层、氧化镁金属陶瓷膜层和纯氧化镁层三层薄膜组成，采用溅射法制备。金属缓冲层为金薄膜或银薄膜，其厚度在4-20nm之间，金属晶粒尺寸为2-10nm。沉积金属缓冲层时，保持衬底温度不高于200℃，镀膜腔中通入氩气，腔体气压保持在0.1-0.8Pa。由于金和银的晶格常数与氧化镁的晶格常数接近，用它们作为氧化镁金属陶瓷薄膜的缓冲层，有助于沉积其上的氧化镁晶粒的生长，而且由于金和银的导电性好，化学性质稳定，可改善氧化镁金属陶瓷薄膜与金属基底的电接触，提高薄膜的导电性，从而提高了氧化镁金属陶瓷薄膜的二次电子发射性能。
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