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公开(公告)号：CN118326356A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410429639.5
申请日：2024-04-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子器件与材料技术领域，涉及一种二次电子发射用复合多层薄膜，由不同功能层所形成的基本堆叠结构经过循环叠加的排列组合形成，实现界面修正和最优能带排列。还公开了其制备方法，包括如下步骤：将清洗的基底安装在基片架上，进行不同功能层的沉积，得到第一个基本堆叠结构；之后按照基本堆叠结构的沉积顺序进行循环叠加，最终得到二次电子发射用复合多层薄膜。相比于传统的掺金氧化镁薄膜，不仅进一步提高了复合薄膜的导电性，减轻了因长时间粒子轰击下电荷积累导致的二次电子发射系数大幅衰减，而且提高了薄膜的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN108374151A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810183512.4
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法，包括基底以及在基底上由上至下依次设置的氧化锌掺杂氧化镁膜层和金属掺杂氧化镁膜层，金属掺杂氧化镁膜层中单纯掺杂金属材料或者共掺杂金属材料与氧化锌，单纯掺杂金属材料的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为6％-30％，共掺杂金属材料与氧化锌的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为5％-25％，锌的原子数百分含量不高于5％；氧化锌掺杂氧化镁膜层中所形成的Mg-Zn-O复合物晶粒的尺寸为8nm-30nm，锌的原子数百分含量为0.2％-8％，采用溅射法进行制备，能有效提高二次电子发射系数，增强电子发射的稳定性。
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公开(公告)号：CN107740044A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710942860.0
申请日：2017-10-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法。该二次电子发射薄膜由三层薄膜组成，即包括处于底层的掺杂金属材料的氧化镁膜层、处于中间层的掺杂氧化铝的氧化镁膜层和处于顶层的纯氧化镁膜层。采用溅射法制备二次电子发射薄膜的各个膜层，在依次沉积这些膜层时，将金属基底保持在200-550℃之间的某一温度，镀膜腔中同时通入氩气和氧气，将镀膜腔保持在0.2-1Pa之间的某一气压。采用这种方法制备的二次电子发射薄膜的表面具有较低的粗糙度和适中的氧化镁晶粒尺寸，而且在中间层的氧化镁中掺杂适量的氧化铝可减小氧化镁的禁带宽度，改善薄膜的电子输运特性，从而使二次电子发射薄膜具有高的二次电子发射性能。
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公开(公告)号：CN105349968A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510808628.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , H01J9/02
CPC classification number: C23C16/274 , H01J9/027
Abstract: 本发明公开了一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器，用于电子倍增器的金刚石薄膜打拿极包括基架盒体，弧形二次电子打拿极片，夹持底板，栅电极四个部分组成。基架盒体是为了装载和固定弧形二次电子打拿极片；弧形二次电子打拿极片是在弧形的金属衬底上用MPCVD方法在金属片弧形面内侧生长具有高二次电子发射效率的金刚石薄膜；夹持底板将二次电子打拿极片与基架盒体紧密固定在一起，栅电极具有加速入射电子的作用。本发明具有二次电子发射系数高，二次发射系数衰减性能优，薄膜结构稳定的特点，并且电子倍增器打拿极基架盒的安装也十分方便，不会破坏薄膜原有性质。具有制作成本低，结构简单，工作性能高的优点。
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公开(公告)号：CN104392875A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410558893.1
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104357800A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410558337.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法，由依次制作于基底上的底电极——含纳米晶硅的二氧化硅层(即纳米晶硅颗粒镶嵌在二氧化硅中)——顶电极构成，其中的含纳米晶硅的二氧化硅层采用溅射法结合高温退火工艺制备。在含纳米晶硅的二氧化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氧气的分压比或调节硅靶和二氧化硅靶的溅射功率来控制最后制得的含纳米晶硅二氧化硅层中的硅晶粒的大小和密度分布，使含纳米晶硅二氧化硅层中粒径适中的硅晶粒的密度呈周期性变化的分层分布。此纳米硅薄膜阴极的制作工艺与硅微电子加工工艺兼容，并且电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN101383258B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810231843.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构，即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成，利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压、宽的禁带宽度及高的热传导系数，以改进导电膜的电子发射性能，从而提高场发射电子源的发射电流密度及电子发射率。
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公开(公告)号：CN101661865A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910023966.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅弹道电子发射的平面光源。所述平面光源在前基板和后基板上均制作荧光粉层，前、后基板间以一定的间隔设置一些相互平行的支撑条，在每个支撑条的两个侧面及封接框的两条边的内侧面上制备底电极、多孔硅膜和顶电极或阳极，底电极、多孔硅膜和顶电极三者构成了可产生弹道电子发射的多孔硅阴极，在前、后基板围成的内部空间充入惰性气体。在所述平面光源的电极上施加适当的直流电压后，就会由多孔硅膜向气体空间发射电子，电子与惰性气体原子发生碰撞激发，产生真空紫外线(VUV)以激发荧光粉发光。
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公开(公告)号：CN100561639C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810018280.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极平面光源的制造方法，在配置有电极、介质层和荧光粉层的前、后基板的周边涂覆封接材料，前、后基板间未被密封，用夹具将它们精确对位，并放入一个密闭腔体内，对腔体内部加热、排气，当真空度达到10-4-10-5Pa时停止排气，将放电气体充入腔体内，充气压强选择为80T/Tr至101.3T/Tr千帕，T为充气时基板温度，Tr为室温，封接材料在高温下熔化，之后腔体开始降温，则封接材料逐渐固化，将前、后基板完全密封，当降至室温时，将制成的冷阴极平面光源从腔体中取出，光源内部压强为0.8至1个大气压。采用此制造方法，可简化冷阴极平面光源的制造工艺，降低制造成本，并减小平面光源的厚度。
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公开(公告)号：CN116978769A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311092512.0
申请日：2023-08-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于电子倍增器技术领域，涉及一种立体排布的多级打拿极倍增结构，采用平面和立体相结合的排布方式；电子倍增器为立体结构，电子运动轨迹处于三维空间之中；打拿极为盒栅式结构，包括阴极板、上挡板、下挡板和栅网，栅网形状为正方形，阴极板、上挡板及下挡板表面覆盖有二次电子发射薄膜。相比于常规结构的打拿极内部电场，立体结构分离式打拿极电子倍增器的打拿极内部电场得到改善，每个打拿极产生的二次电子更集中的到达下一打拿极的二次电子发射体的中心位置，使得每个打拿极的越级电子和受困电子数目减少，这使得二次电子收集效率能够得到明显提高。电子倍增器的总增益也得到提升。
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