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公开(公告)号:CN117813554A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202280055183.X
申请日:2022-07-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于确定针对光刻过程的至少第一过程的过程校正的方法,所述光刻过程至少包括使用至少第一设备在至少第一衬底上执行的所述第一过程和使用至少第二设备在至少所述第一衬底上执行的第二过程,其中,所述第一设备的校正致动能力不同于所述第二设备,所述方法包括:获得与所述第一衬底相关的量测数据;使用第一模型对所述量测数据进行建模,所述第一模型与所述第一设备相关;以及基于被建模的量测数据控制所述第一过程;所述建模步骤和/或附加的处理步骤包括:贯穿所述第一过程和所述第二过程分配性能参数的惩罚,使得所述性能参数的被分配的惩罚在它们各自的性能参数的规格内。
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公开(公告)号:CN114585970A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202080072295.7
申请日:2020-10-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: 阿利亚斯加尔·基瓦尼詹巴汉 , 弗兰斯·雷尼尔·斯皮林 , J·S·威尔登伯格 , E·C·摩斯
Abstract: 披露了一种将测量数据拟合至模型的方法。该方法包括:获得与衬底的至少一部分的性能参数相关联的测量数据;以及通过在不允许测量数据与被拟合的模型之间的偏差超过阈值的同时使应用于模型的拟合参数的复杂性指标最小化,以将测量数据拟合至模型。
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公开(公告)号:CN110383177B
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN201880013446.4
申请日:2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布;确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布;和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号:CN109863585A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201780063869.2
申请日:2017-09-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种衬底处理设备包括:衬底装载装置,配置为在相对于与衬底上的场的布局相关联的栅格的预定方向上装载所述衬底;校正元件,配置为使得能够局部校正在衬底上执行的过程的特性;其的特点是所述校正元件被沿着具有除了与所述栅格的X轴或Y轴平行之外的方向的至少一个轴线布置。
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公开(公告)号:CN101762988B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200910262272.8
申请日:2009-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种优化方法和一种光刻单元。在所述优化方法中,记录了两次图案化光刻过程中的每一步骤中的变量,测量了两次图案化过程中的中间特征的特性。之后对最终特征进行模型化,和优化变量的值。
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公开(公告)号:CN101762988A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200910262272.8
申请日:2009-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种优化方法和一种光刻单元。在所述优化方法中,记录了两次图案化光刻过程中的每一步骤中的变量,测量了两次图案化过程中的中间特征的特性。之后对最终特征进行模型化,和优化变量的值。
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