-
公开(公告)号：CN113946105A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
-
公开(公告)号：CN110383177B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
-
公开(公告)号：CN101266413B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810083467.1
申请日：2008-03-07
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： 迈克尔·弗朗索斯·休伯特·克拉森 , 亨瑞克斯·罗伯塔斯·玛丽·范格瑞温布奥克 , 伯恩德·皮特·杰 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃
CPC classification number: G03F7/701 , G03F7/70566
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的照射器以及一种光刻方法。所述照射器包括照射方式限定元件和多个偏振调节器，所述偏振调节器是可移入或移出与辐射束的一些部分相交的位置，所述辐射束具有由照射方式限定元件支配的角度分布和空间分布。
-
公开(公告)号：CN113946105B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
-
公开(公告)号：CN110383177A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106104387A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480076623.5
申请日：2014-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , W·亨克 , C·普伦蒂斯 , F·斯塔尔斯 , W·T·特尔
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70725 , G03F9/7019 , G03F9/7026 , G03F9/7092
Abstract: 一种光刻设备使用光学投影系统将图案施加到衬底上。该光刻设备包括光学水平传感器(LS)和相关联的处理器以在施加所述图案之前获得衬底表面的高度图(h(x，y))。控制器在施加所述图案时控制投影系统的聚焦。处理器还被布置成使用关于在先前施加到衬底上的处理的信息来限定衬底的至少第一区域和第二区域并且在第一区域与第二区域之间改变使用所述测量信号来控制聚焦的方式。例如，用来从光学测量信号(S(x，y))计算高度值的算法(A(x，y))可以根据在已知结构和/或材料中的差异而改变。来自某些区域的测量值可以被选择性地从高度图的计算和/或聚焦时的使用中排除。
-
公开(公告)号：CN110770653B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201880037800.7
申请日：2018-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , K·巴塔查里亚 , R·M·G·J·昆斯 , W·H·亨克夫 , W·T·特尔 , T·F·A·M·林斯霍滕
Abstract: 一种系统，包括：形貌测量系统，配置成确定衬底上的多个部位中的每一个部位的各自的高度；和处理器，配置成：基于确定的多个部位的高度确定所述衬底的高度图；和通过对比所述高度图和参考高度图确定所述衬底的至少一个对准参数，其中所述参考高度图包括或表示在参考衬底部分上的多个部位的高度。
-
公开(公告)号：CN110770653A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880037800.7
申请日：2018-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , K·巴塔查里亚 , R·M·G·J·昆斯 , W·H·亨克夫 , W·T·特尔 , T·F·A·M·林斯霍滕
Abstract: 一种系统，包括：形貌测量系统，配置成确定衬底上的多个部位中的每一个部位的各自的高度；和处理器，配置成：基于确定的多个部位的高度确定所述衬底的高度图；和通过对比所述高度图和参考高度图确定所述衬底的至少一个对准参数，其中所述参考高度图包括或表示在参考衬底部分上的多个部位的高度。
-
公开(公告)号：CN106104387B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480076623.5
申请日：2014-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , W·亨克 , C·普伦蒂斯 , F·斯塔尔斯 , W·T·特尔
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70725 , G03F9/7019 , G03F9/7026 , G03F9/7092
Abstract: 一种光刻设备使用光学投影系统将图案施加到衬底上。该光刻设备包括光学水平传感器(LS)和相关联的处理器以在施加所述图案之前获得衬底表面的高度图(h(x，y))。控制器在施加所述图案时控制投影系统的聚焦。处理器还被布置成使用关于在先前施加到衬底上的处理的信息来限定衬底的至少第一区域和第二区域并且在第一区域与第二区域之间改变使用所述测量信号来控制聚焦的方式。例如，用来从光学测量信号(S(x，y))计算高度值的算法(A(x，y))可以根据在已知结构和/或材料中的差异而改变。来自某些区域的测量值可以被选择性地从高度图的计算和/或聚焦时的使用中排除。
-
公开(公告)号：CN101266413A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810083467.1
申请日：2008-03-07
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡斯SMT股份公司
Inventor： 迈克尔·弗朗索斯·休伯特·克拉森 , 亨瑞克斯·罗伯塔斯·玛丽·范格瑞温布奥克 , 伯恩德·皮特·杰 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃
CPC classification number: G03F7/701 , G03F7/70566
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的照射器以及一种光刻方法。所述照射器包括照射方式限定元件和多个偏振调节器，所述偏振调节器是可移入或移出与辐射束的一些部分相交的位置，所述辐射束具有由照射方式限定元件支配的角度分布和空间分布。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.038 seconds)
