公开(公告)号：CN101231458B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810001273.2

申请日：2008-01-17

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  木村泰树

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种灰色调掩模，在半透光部中具有透过光的光强度分布平坦的部分，且具备能得到规定的光强度的半透光部。再有，提供一种在将半透光部转印到被转印体的抗蚀剂膜上时能形成具有大致恒定膜厚的平坦部且具有所希望膜厚范围的抗蚀剂图案的高精度灰色调掩模。本发明的灰色调掩模(30)在透明基板上形成有遮光部(31)、透光部(32)及半透光部(33)，该灰色调掩模(33)具有与遮光部(31)相邻并被夹持的半透光部(33)，该半透光部(33)具有：形成了半透光膜(36)的半透光膜形成部(33a)；和设置在半透光部(33)相邻的遮光部(31)的边界上且露出透明基板(34)的透光狭缝部(33b、33c)。

公开(公告)号：CN101398611A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810161087.5

申请日：2008-09-26

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明 ,  井村和久 ,  木村泰树 ,  三井胜

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种灰色调掩模板，其用于根据部位选择性地减少对被复制体的曝光光线的照射量，并在被复制体上形成包含残膜值不同的部分的所希望的复制图案的灰色调掩模的制造中使用，该灰色调掩模板在透明基板上具有半透光膜和遮光膜，半透光膜在基板面内至少形成掩模图案的区域内的曝光光线透过率的分布在4.0％以内。通过在该掩模板上实施规定的构图，形成遮光部、透光部、由半透光膜构成的半透光部，由此得到灰色调掩模。

公开(公告)号：CN100390931C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200510079688.8

申请日：2005-06-24

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  G03F7/30 ,  G03F1/00 ,  C23F1/00

Abstract: 本发明提供了一种节省空间、处理能力高、且可进行高均一性处理的基板处理装置及基板处理方法。所述基板处理装置包括：基板保持单元，以基板20主表面向斜上方倾斜的状态保持基板20呈规定范围内的倾斜角度；处理液供给单元，向倾斜状态的基板20的至少一边方向大致均匀地提供处理液，使基板20主表面的全部区域布满处理液；使上述基板20与上述处理液供给单元相对移动的移动单元。通过上述基板保持单元使得基板20相对于水平方向的倾斜角度(α)在25度～80度的范围内。上述处理液供给单元包括能够向基板20的一边方向均匀提供处理液的喷嘴30，上述移动单元使喷嘴30在基板20的主表面上与上述一边垂直移动。

公开(公告)号：CN1284044C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410062538.1

申请日：2004-06-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 提供一种可以制造高品质的TFT的中间色彩膜类型的灰调掩模的制造方法，具有下述工序：准备在透明基板(21)上顺序形成半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯料的工序；在该掩模坯料上形成抗蚀膜的工序；采用由设定为进行图形描绘的曝光装置的分辨率限度以下的图形数据和用于形成透光部及遮光部的图形数据合成的图形数据对所述抗蚀膜进行图形描绘，对所述抗蚀膜的形成半透光部的部分进行曝光量的调节和进行曝光的工序；进行显影处理，形成使形成遮光部的部分和形成半透光部的部分的抗蚀剂残留膜的值不同的抗蚀图形(24a)的工序；把该抗蚀图形(24a)作为掩模，蚀刻遮光膜(23)和半透光膜(22)并形成透光部的工序；仅去除残留在半透光部上的抗蚀图形的工序；把所残留的抗蚀图形作为掩模，蚀刻遮光膜(23a)并形成半透光部的工序。

公开(公告)号：CN1677247A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059701.3

申请日：2005-03-29

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/26 ,  G03F7/00

Abstract: 提供一种正相抗蚀膜的剥离方法、曝光用掩模的制造方法及抗蚀剂剥离装置，无须基于消防法及各种环境法的特别管理，能以低成本进行处理，即使对于大型基板也不必使用大型的处理装置。覆有正相抗蚀膜的基板的抗蚀膜面曝光后，使抗蚀膜与能将已曝光的抗蚀膜部分溶解的处理液接触，将正相抗蚀膜从基板上剥离去除。在基板上设置作为转印掩模图样的薄膜，制成掩模板，在掩模板上形成规定的正相抗蚀图样，以该抗蚀图样作为掩模，对已曝光的上述薄膜进行蚀刻，使其形成规定的图样形状，从而得到曝光用掩模，在此制造方法中，通过将残存的抗蚀图样曝光后与上述处理液接触，剥离去除该正相抗蚀图样。抗蚀膜的剥离装置具有曝光室、处理室及搬运基板的装置。

公开(公告)号：CN1220912C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02143094.2

申请日：2002-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/16 ,  B05B1/00

CPC classification number: G03F1/50

Abstract: 一种制作灰调掩模的方法，在至少部分具有预定灰调图形的灰调掩模上能满足预定灰调图形的尺寸精度。在灰调掩模的制作过程中，将在衬底上涂覆的光刻胶膜厚的面内分布抑制到等于或小于±1%。

公开(公告)号：CN1577085A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062541.3

申请日：2004-06-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  佐野道明

IPC: G03F1/14 ,  H01L21/00

Abstract: 一种可以制造高质量的TFT的半色调膜类型的灰调掩模的制造方法及灰调掩模。一种具有遮光部、透光部和半透光部的灰调掩模的制造方法，具有下述工序：准备在透明基板(21)上依次形成了半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯；在掩模坯上形成与遮光部对应的区域的抗蚀图案(24a)，通过将该抗蚀图案(24a)作为掩模来蚀刻遮光膜(23)，在半透光膜(22)上形成遮光部；其次，在至少包含半透光部的区域中形成抗蚀图案(24b)，通过把该抗蚀图案(24b)作为掩模来蚀刻半透光膜(22)，形成半透光部和透光部。