公开(公告)号：CN113448161A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110307879.4

申请日：2021-03-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 安森顺一 ,  浅川敬司 ,  田边胜

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。

公开(公告)号：CN113391515A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110243881.X

申请日：2021-03-05

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 田边胜 ,  浅川敬司 ,  安森顺一

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。

公开(公告)号：CN111258175A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911179769.3

申请日：2019-11-27

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 田边胜 ,  浅川敬司 ,  安森顺一 ,  石原重德 ,  花冈修

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。

公开(公告)号：CN108319103A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810034453.4

申请日：2018-01-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 坪井诚治 ,  安森顺一

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/62 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/62 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。