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公开(公告)号：CN102681332B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210129722.8
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101556435A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910133541.0
申请日：2009-04-10
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料的制造方法以及光掩模的制造方法，其包含如下工序，即，使从收容有液状的抗蚀剂的液槽在毛细管现象的作用下通过涂敷喷嘴而到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂与具有用于形成复制图案的薄膜的基板的被涂敷面接触，同时使基板和涂敷喷嘴进行相对移动，由此在所述被涂敷面上涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜。在所述抗蚀剂膜形成工序中，在涂敷喷嘴通过所述相对移动到达了基板的涂敷结束位置附近时，改变涂敷条件而使所述被涂敷面上的涂敷量减少。
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公开(公告)号：CN101470343A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810177837.8
申请日：2008-06-27
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种掩模坯件的制造方法及涂布装置，其包括使从收容有液状抗蚀剂(21)的液槽(20)通过喷嘴(22)到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂接触在具有用于形成转印图案的薄膜的基板的被涂布面上，通过使基板和喷嘴相对移动，在被涂布面上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂膜的工序。在该抗蚀剂膜的形成工序中，在对被涂布面涂布抗蚀剂(21)的过程中，一边向上述液槽(20)内补充抗蚀剂，一边进行控制使得液槽内的抗蚀剂的液面在一定高度。
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公开(公告)号：CN101443886A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/08 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101286007A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810090895.7
申请日：2008-04-09
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供一种带有抗蚀膜的掩膜坯料的制造方法，其包括抗蚀剂涂敷，在该抗蚀剂涂敷工序中，从具有向一方向延伸的抗蚀液供给口的涂敷喷嘴喷出抗蚀液，同时沿与所述一方向交差的方向使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面相对移动，在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀液。在本制造方法中，尤其是，涂敷后的抗蚀剂的干燥从相对于抗蚀剂的涂敷膜表面平行的方向供给清洁气体而进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119126477A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346726.0
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN111258175B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911179769.3
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN110196530B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910125512.3
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种能够以可充分发挥相移效果的截面形状对相移膜进行构图的透过率高的相移掩模坯料。一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜，其特征在于，所述相移掩模坯料是以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，从所述界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。
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公开(公告)号：CN116699938A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210319651.1
申请日：2022-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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公开(公告)号：CN113448161A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110307879.4
申请日：2021-03-23
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。
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