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公开(公告)号：CN113614636A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019456.6
申请日：2020-02-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案和硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，其中，硬掩模膜(4)由含有硅、氧及氮的材料形成，硬掩模膜(4)的氮的含量为2％以上且18％以下，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰。
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公开(公告)号：CN111902772A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980022136.3
申请日：2019-03-15
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料(100)，其在透光性基板(1)上具备相移膜(2)，该相移膜(2)包含依次层叠有下层(21)、中间层(22)及上层(23)的结构，下层(21)由氮化硅类材料形成，中间层(22)由氮氧化硅类材料形成，上层(23)由氧化硅类材料形成，下层(21)的氮的含量比中间层(22)及上层(23)多，上层(23)的氧的含量比中间层(22)及下层(21)多，中间层(22)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.15以上，上层(21)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.10以下。
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公开(公告)号：CN110554561A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910950358.3
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN1924697A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610094622.0
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阳止膜构成。
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公开(公告)号：CN1896868A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610094621.6
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110673435B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201910950357.9
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN111344633B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201880072967.7
申请日：2018-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
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公开(公告)号：CN110383167B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880014226.3
申请日：2018-01-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
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公开(公告)号：CN114245880A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080058132.3
申请日：2020-08-26
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/60 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。
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公开(公告)号：CN113383271A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202080012522.7
申请日：2020-02-06
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能：使KrF准分子激光的曝光光以2％以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能，相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构，将下层在曝光光的波长下的折射率设为nL、将上层在曝光光的波长下的折射率设为nU时，满足nL＞nU的关系，将下层在曝光光的波长下的消光系数设为kL、将上层在曝光光的波长下的消光系数设为kU时，满足kL＞kU的关系，将下层的厚度设为dL、将上层的厚度设为dU时，满足dL＜dU的关系。
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