公开(公告)号：CN118670432A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410293316.8

申请日：2024-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 千里内忠雄 ,  原晋治 ,  青木进 ,  太田尚城

IPC: G01D11/00

Abstract: 本发明的一种实施方式的元件阵列电路具备：多根第一布线、多根第二布线和多个阻抗元件。多根第一布线各自包括第一部分。多根第二布线各自包括第二部分，该多个第二部分在与多个第一部分不同的方向上延伸。多个阻抗元件各自连接于多根第一布线中的1根和多根第二布线中的1根的双方。多根第二布线各自是信号流过的读出线，该信号表示连接于多根第二布线各自的多个阻抗元件各自的状态。第一部分是多根第一布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分，第二部分是多根第二布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分。多个第一部分各自的单位长度的电阻值比多个第二部分各自的单位长度的电阻值小。

公开(公告)号：CN115734702A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211041792.8

申请日：2022-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  牧野健三 ,  太田尚城

IPC: H10N50/10 ,  H10N59/00 ,  G01B7/00

Abstract: 磁传感器包含第1路径和第2路径、多个构造物及多个第1电极和多个第2电极。第1路径包含至少1个第1阵列。第2路径包含至少1个第2阵列。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列以在第1方向上排列的方式配置。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列各自包含以在第2方向上排列的方式配置的奇数个构造物。

公开(公告)号：CN114593829A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111453388.7

申请日：2021-12-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  城川真生子

IPC: G01J5/20

Abstract: 本发明提供一种提高了热敏电阻元件对电磁波的检测精度的电磁波传感器。其包括：对某特定波长的电磁波(IR)具有透过性的基板(2)；设置于基板(2)的一个面侧的绝缘体层(8)；以与基板(2)的一个面之间具有空间(G)的方式配置的热敏电阻膜(5)；和设置于绝缘体层(8)的内部或表面，并且与热敏电阻膜(5)电连接的配线部(9)，在设置有绝缘体层(8)的层(T)中，与热敏电阻膜(5)相对的部分的电磁波(IR)的透过率相对高于设置了配线部(9)的部分的电磁波(IR)的透过率。

公开(公告)号：CN108574039B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711463839.9

申请日：2017-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  太田尚城 ,  平林启 ,  田中良明

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/06

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

公开(公告)号：CN110007254B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201811424734.7

申请日：2018-11-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  沟口义之

IPC: G01R33/038 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的一种实施方式的传感器系统，具备：物理量分布发生源，产生物理量分布；以及多个传感器封装件，各自具有检测物理量的传感器芯片。在包含多个传感器封装件的面内，各个传感器芯片的中心位置在从传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。

公开(公告)号：CN110873608B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201910821807.4

申请日：2019-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  柿沼裕二 ,  原晋治 ,  青木进 ,  川森启太 ,  小村英嗣

IPC: G01J5/24

Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线，并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子，正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接，负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接，输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。

公开(公告)号：CN112242387A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010677861.9

申请日：2020-07-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮 ,  永沼宙 ,  太田尚城

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  G01D5/14 ,  G01D5/16

Abstract: 本发明的电子元器件封装件是具有包括相邻的第一边和第二边的外缘的电子元器件封装件。该电子元器件封装件具备：第一电子元器件芯片；第二电子元器件芯片，与第一电子元器件芯片分开设置；1个以上的第一端子，沿着第一边配置；1个以上的第二端子，沿着第二边配置；以及1个以上的第一导体，使1个以上的第一端子与第一电子元器件芯片连接，而没有使1个以上的第一端子与第二电子元器件芯片连接。

公开(公告)号：CN110277489A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811067781.0

申请日：2018-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  金谷贵保

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  G01D5/14 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及的磁阻效应元件包括：多个磁阻效应层叠体；将多个磁阻效应层叠体串联地电连接的多个下部引线电极和上部引线电极；和以多个下部引线电极都不电孤立的方式将多个下部引线电极互相电连接的抗静电膜。

公开(公告)号：CN108574039A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711463839.9

申请日：2017-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  太田尚城 ,  平林启 ,  田中良明

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/06

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

公开(公告)号：CN108445431A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201711226134.5

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  猿木俊司

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器装置，包含多个磁检测元件部和多个运算处理部，即使在该运算处理部中发生计算出错误的物理量的异常情况时，也能够迅速地把握该异常，因而可靠性高。其包括：根据外部磁场的变化而输出第一传感器信号的第一磁检测元件部和输出第二传感器信号的第二磁检测元件部；根据第一传感器信号而计算规定的物理量的第一运算处理部；根据第二传感器信号而计算规定的物理量的第二运算处理部；和将至少第一磁检测元件部和第二磁检测元件部作为一体而封装的封装部，第一运算处理部根据第一运算算法而计算物理量，第二运算处理部根据与第一运算算法不同种类的第二运算算法来计算与由第一运算处理部计算的物理量相同种类的物理量。