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公开(公告)号：CN102384758A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110252342.9
申请日：2011-08-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路，第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位，相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位，相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，基于第1和第2信号计算角度检测值。
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公开(公告)号：CN119231974A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410856663.7
申请日：2024-06-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H02P6/16
Abstract: 本发明涉及角度检测装置、电动机装置和逻辑信号生成器。角度检测装置包括：角度传感器，其构成为检测与电动机的旋转角度联动而周期性地变化的旋转磁场，输出相位差为除去90°的整数倍的值的第1检测信号和第2检测信号；和逻辑信号生成部，其构成为使用第1检测信号生成第1逻辑信号，使用第2检测信号生成相位与第1逻辑信号不同的第2逻辑信号，使用第1检测信号和第2检测信号生成与第1逻辑信号和第2逻辑信号分别不同的相位的第3逻辑信号。
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公开(公告)号：CN111707974A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010190269.6
申请日：2020-03-18
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 信号处理电路对从磁传感器装置输出的第1～第3检测信号进行处理。信号处理电路包括进行第1处理的球体信息生成部和进行第2处理的判定部。第1处理在以某定时的第1～第3检测信号的值的组作为测量数据，并以在直角坐标系中表示测量数据的坐标为测量点时，求取具有将多个测量点的分布近似而得到的球面的假想的球体的中心坐标。第2处理判定4个以上的测量数据是否适合于第1处理。
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公开(公告)号：CN111707175A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010180619.0
申请日：2020-03-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器系统具备磁传感器装置和信号处理电路。磁传感器装置生成与相对于磁传感器装置的相对的位置能够变化的磁场产生器所产生的磁场的三个方向的分量相对应的第一至第三检测信号。信号处理电路在直角坐标系中，包含当将表示某一时刻的第一至第三检测信号的值的组的坐标设定为测量点时，从多个时刻的多个测量点中，抽出连结它们的线段的长度成为最大的第一点和第二点的最大线段抽出部、以及连结第一点和第二点的线段的重点的坐标的中点坐标运算部。
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公开(公告)号：CN101988956B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010243163.4
申请日：2010-07-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/0023 , G01R33/0029
Abstract: 一种用于检测外部磁场的方向的磁传感器，包括：桥接电路，被配置为提供根据外部磁场的方向而改变的输出，桥接电路包括四个电阻元件部分，每个电阻元件部分包括至少一个磁阻效应元件；以及两个电阻器，连接至桥接电路的相应输出端子。当每个电阻元件部分的电阻对应于磁阻的改变而处于最小值时，每个电阻器的电阻与桥接电路的电阻之比至少是2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102466491A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110364924.6
申请日：2011-11-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及旋转磁场传感器，旋转磁场传感器具备：第1检测电路，输出表示旋转磁场的第1方向的分量的强度的第1信号；第2检测电路，输出表示旋转磁场的第2方向的分量的强度的第2信号；以及运算电路，基于第1以及第2信号计算角度检测值。第1以及第2检测电路分别包含至少1个MR元件列。各MR元件列通过串联连接的多个MR元件构成。各MR元件具有磁化固定层。构成各MR元件列的多个MR元件包含1个以上的MR元件对。构成对的2个MR元件的磁化固定层的磁化方向形成除了0°以及180°之外的规定的相对角度。
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公开(公告)号：CN100385504C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610072053.X
申请日：2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/455 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
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公开(公告)号：CN100367355C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510067701.8
申请日：2005-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
Abstract: 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN100343901C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510054118.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/455 , G11B2005/0018
Abstract: 一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。
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公开(公告)号：CN1691139A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067701.8
申请日：2005-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
Abstract: 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
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