公开(公告)号：CN119542308A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410557248.1

申请日：2024-05-07

Applicant: 西部数据技术公司

Inventor： 刘扬名 ,  余紫荆 ,  朱峰 ,  何菁 ,  俞恒旭

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H10B80/00

Abstract: 一种未经单切的半导体封装包含设置在单个衬底段上且由单个罩盖包封的多个集成电路。所述未经单切的半导体封装安装在计算组件的PCB上，以增加所述计算组件的容量和性能能力，而不会占用所述PCB上的额外空间。

公开(公告)号：CN119542273A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411498149.7

申请日：2024-10-25

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 张荣炜 ,  T·克罗嫩贝格 ,  陈杰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H10D80/30 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 本申请案的实施例涉及静电放电装置的晶片级制造。在实例中，一种封装(106A)包括第一裸片和第二裸片(351、352)，其分别包含第一二极管和第二二极管(313、315)。所述封装包括分别耦合到所述第一裸片和所述第二裸片的底表面的第一金属触点和第二金属触点(354、356)，其中所述第一金属触点和所述第二金属触点暴露于所述封装的底表面。所述封装还包括处于所述第一裸片与所述第二裸片之间以及所述第一金属触点与所述第二金属触点之间的隔离层(326)，以及耦合到所述第一裸片和所述第二裸片的顶表面的金属层(310)。所述封装还包括覆盖所述第一裸片和所述第二裸片以及所述金属层的模塑料(320)。

公开(公告)号：CN119542254A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411573245.3

申请日：2024-11-06

Applicant: 深圳华美澳通传感器有限公司

Inventor： 孙冰 ,  张建国

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  B24B27/06

Abstract: 本发明公开了一种晶圆的切割方法和晶圆，其中，晶圆包括硅片层和玻璃层，硅片层和玻璃层键合连接；切割方法包括：从硅片层远离玻璃层的一侧对硅片层进行切割，以及从玻璃层远离硅片层的一侧对玻璃层进行激光切割；其中，切割深度至硅片层和玻璃层的键合面；玻璃层的切割位置与硅片层的切割位置相对应；对晶圆做裂片处理。本发明可以大大减小晶圆正面硅片层上晶粒之间的切割槽宽度和实际切痕宽度，可以在晶圆正面硅片层上布设更多的芯片晶粒，有效提高了晶圆利用率。

公开(公告)号：CN119517848A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202311079765.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 林平波

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明晶圆的处理方法包括：保护晶圆的第一表面和第二表面，暴露所述晶圆的所述第一表面上的凹槽；使所述晶圆的所述第一表面置于硅腐蚀液中对所述凹槽进行湿法刻蚀，所述凹槽被腐蚀第一深度；使所述晶圆的所述第二表面置于硅腐蚀液中对所述凹槽的背面进行湿法刻蚀，所述凹槽被腐蚀第二深度，所述第一深度和所述第二深度的总和适于所述晶圆沿所述凹槽被分离成独立芯片；所述独立芯片置于氨水、双氧水及去离子水的混合液中清洗；以及烘干所述独立芯片。该方法避免机械切割，大大降低晶圆分离时产生的应力，从而减少半导体的型变，提高产品的良品率。

公开(公告)号：CN119490799A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411112686.3

申请日：2024-08-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金亨俊 ,  安哲熙 ,  洪裕善

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种分割膜以及制造半导体封装件的方法。在分割膜中，构成分割膜的粘合层的粘合强度可以在热处理之后充分减小，并且半导体管芯可以容易地与分割膜分离。因此，可以获得改善半导体管芯的拾取性能的效果。

公开(公告)号：CN119480688A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411056116.7

申请日：2024-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久野美里 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 目的在于提供一种技术，该技术在拾取从半导体晶片单片化的半导体装置时，能够抑制半导体晶片的碎片飞散而附着于半导体装置的表面这一情况。半导体制造装置具有：片材保持部，其保持具有基材(11)和粘结层(12)的片材(10)，该粘结层(12)设置于基材(11)的表面，粘贴半导体晶片(1)；以及粘结力降低部，其配置为能够对在片材保持部保持的片材(10)进行作用，使片材(10)的粘结层(12)的预先规定的区域的粘结力降低。粘结层(12)的预先规定的区域是粘贴有不作为半导体装置(2)起作用的半导体晶片的碎片(3)的区域。

公开(公告)号：CN119457504A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202510054457.9

申请日：2025-01-14

Applicant: 珠海市申科谱工业科技有限公司

Inventor： 胡学安 ,  张振富 ,  安珂 ,  钟函君 ,  李峰 ,  宋斌杰 ,  关力

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/064 ,  H01S3/23 ,  H01L21/78 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明旨在提供一种结构简单、双细光束和宽激光可同时作业、独立的激光模组可调节完成双细光束和宽激光切割的晶圆开槽双光路激光结构及切割方法。本发明包括双细激光模组和宽激光模组，双细激光模组包括第一激光器，第一激光器分别通过第一波片、第一扩束镜、第一光闸、分光束棱镜以及第一聚焦镜与外部运动载台上的加工件相配合，宽激光模组包括第二激光器，第二激光器分别通过第二波片、第二扩束镜、第二光闸、光罩、光学透镜模组以及第二聚焦镜与外部运动载台上的加工件相配合；切割方法包括双细激光模组进行双细光激光切割、宽激光模组同步进行宽激光切割、单台激光器故障时进行激光调节。本发明应用于产品激光切割的技术领域。

公开(公告)号：CN115206810B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202210931756.2

申请日：2022-08-04

Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司

Inventor： 姚禹 ,  郑远志 ,  康建 ,  陈向东

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明提供一种发光装置的制作方法及发光装置，其中，发光装置的制作方法包括：提供基板；提供LED芯片，将LED芯片切割成多个待抛光LED芯片；将多个待抛光LED芯片安装在基板上，并利用研磨流体对待抛光LED芯片的表面进行抛光，以形成抛光LED芯片；将多个抛光LED芯片进行封装，以形成发光装置。本发明对切割后的UV LED芯片进行抛光，以提高UV LED芯片的发光率，且降低封装成本。

公开(公告)号：CN119447032A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411376631.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王明星 ,  张迎香 ,  孙倩 ,  赵加伟 ,  闫华杰 ,  高天航

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制备方法。制备方法包括提供衬底基板；在衬底基板上形成牺牲层；在牺牲层远离衬底基板的一侧形成包含半导体器件的功能层，功能层暴露牺牲层的第一部分；采用电化学腐蚀，刻蚀牺牲层；以及利用转移基板将功能层与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN119446893A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411031307.8

申请日：2024-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 ,  金圣协 ,  金雄基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/30

Abstract: 一种晶圆包括：在晶圆主体的一个表面上围绕半导体芯片区域的划道；以及应力调节部分，其位于划道中，并且包括具有至少与晶圆主体的材料不同的材料的第一膜和第二膜。可以在半导体工艺之前提供晶圆。