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公开(公告)号：CN101118955A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149053.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN1966280A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146555.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。通过形成在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在LITI装置的两个下面的组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；或4)基底支撑件和晒版器件。
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公开(公告)号：CN1941400A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139384.0
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3246 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。
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公开(公告)号：CN1769066A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113840.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/265 , C23C14/048 , H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 一种用在有机发光显示器中的供体基板包括基底基板和设置在基底基板上的转印层。插置在基底基板与转印层之间的选择性发热结构。选择性发热结构具有通过光热转换发热的发热区和接触发热区的非发热区。由于使用供体基板，因此不需精确地控制激光束的宽度便可能形成微小的具有高精度的转印层图案。有机发光显示器的制造方法包括在受体基板上提供供体基板，将激光束照射到供体基板上，以及在受体基板的像素电极上形成转印层图案。
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公开(公告)号：CN1758818A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510093801.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/265 , B41M5/38214 , H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10T156/1705
Abstract: 提供了一种用于激光转写(LITI)的施主基板和一种使用该施主基板制造有机发光显示器的方法。将导电框架设置在施主基板的外部上并与防静电层相连接。施主基板的导电框架与接地台相连接。在这个结构中，当用LITI工艺形成有机层时，可控制静电的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1741691A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410103356.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , C23C14/048 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种用于激光诱导热成像方法(LITI)的供体基片以及用其制备有机发光显示装置的方法。用分子量为500～70,000的有机材料制成用于激光诱导热成像方法的转移层，以制备具有均匀有机层图案的有机发光显示装置。本发明还提供一种方法，该方法用于制备既改善有机光发射显示装置生产率又能实现大像素区域的有机发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1658717A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410010489.7
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L27/3211 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及一种平板显示器，更具体地涉及一种根据R、G和B象素，通过利用传热法构图形成多个有机层从而优化厚度来制造有机发光显示装置从而改善装置特性的方法。该方法包括：在绝缘基板上形成R、G和B象素的下电极；在该绝缘基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括：在基板的整个表面上形成R、G和B象素的空穴注入层和空穴传输层作为公共层。利用具有传热层的传热装置，通过传热法构图形成R和G发射层，从而对有机层构图使其具有通过从R和G颜色所需的R和G发射层的厚度中减去B发射层厚度而获得的厚度。
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公开(公告)号：CN1622710A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089751.1
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/38214
Abstract: 本发明提供一种带有具浓度梯度的光热转换层的热量转移元件，含在光热转换层中的辐射吸收物质具有浓度梯度，和激光转移有机薄膜层。所述热量转移元件包括：其是支撑衬底的基衬底；形成在所述基衬底上的光热转换层，其将入射光转换为热能并包含辐射吸收物质；以及用于图像形成的转移层，其中光热转换层的辐射吸收物质具有辐射吸收物质的浓度随辐射吸收物质接近转移层而降低的浓度分布。光热转换层的辐射吸收物质具有这样一种浓度分布，即浓度随辐射吸收物质远离基衬底并接近转移层而逐渐或阶梯式减少。
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公开(公告)号：CN1622699A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089761.5
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/52 , H01L51/5203 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件，其通过减小衬底表面的锥角来防止元件缺陷并提高图像质量。本发明的平板显示器包括：一绝缘衬底；一下部层，其形成于绝缘衬底上并且具有相对于衬底表面的第一台阶和第一锥角；以及一上部层，其形成于绝缘衬底上，用于减小下部层的锥角。上部层具有小于下部层的第一锥角的第二锥角。上部层是一导电层，该导电层可通过湿式涂覆方法被涂覆并且具有电荷迁移能力，该导电层选自小分子有机层和聚合物有机层中的至少一个，其中小分子有机层包括咔唑基、芳胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物，聚合物有机层包括PEDOT、PANI、咔唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
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公开(公告)号：CN1599527A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078651.9
申请日：2004-09-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5016 , H01L27/3211 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0085
Abstract: 本申请涉及一种全色有机电致发光器件及其制造方法，并提供了一种全色有机电致发光器件。本发明通过减少精细图案化过程的步骤而减少了由发光层的精细图案化导致的失调错误。具体而言，蓝发光层起到空穴阻止层的作用，使得色纯度更好，并提高了有色的有机电致发光器件的稳定性。这种蓝发光层的使用还减少了制造步骤。该器件包括：基底；基底上形成的第一电极图案；通过使红发光材料形成图案而在第一电极的红象素区上形成的红发光层，以及通过使绿发光材料形成图案而在第一电极的绿象素区上形成的绿发光层。在整个基底上以及红和绿磷光发光层上涂布的蓝发光层，和在蓝发光层上部形成的第二电极。
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