控制电路及电力转换装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111033989A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880053807.8

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种对开关器件进行控制的控制电路,该控制电路对第1开关器件以及第2开关器件进行控制,该第1开关器件以及第2开关器件在第1电位与低于第1电位的第2电位之间串联连接且互补地动作,控制电路具有对第1开关器件进行控制的第1控制电路和对第2开关器件进行控制的第2控制电路,控制电路基于第1开关器件以及第2开关器件的一方的温度对第1控制电路以及第2控制电路的电路常数进行可变控制。

    半导体封装件、其制造方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN113169161B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN201880099699.8

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。配线用元件包含:第2基板;多个第1中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接;多个第2中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数;以及多个配线,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。

    半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119155896A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202410512294.X

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明提供能够降低平滑电容器的布线电感的技术。在冷却器(2)上的绝缘基板(31)上设置有与半导体元件(1)电连接的电路图案(32)。平滑电容器(401)配置为在俯视观察下不与所述半导体元件(1)重叠,并且具有:形成静电电容的内部电极(451)、收纳内部电极(451)的电容器外壳(490)、以及从电容器外壳(490)无缝突出的端子(442)。第一封装材料(5)覆盖所述平滑电容器(401)的所述端子(442)、所述绝缘基板(31)以及所述电路图案(32)各自的至少一部分。所述平滑电容器(401)的所述端子(442)与所述电路图案(32),借助所述端子(442)与所述电路图案(32)的界面所具有的接合力而相互直接连接。

    半导体装置的制造方法
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113972142B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202110809628.6

    申请日:2021-07-16

    Inventor: 中田洋辅

    Abstract: 本发明的目的是提供能够在具备半导体元件的结构中抑制静电破坏的半导体装置的制造方法,半导体元件具有感测单元部。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)将各半导体元件(1)及中继基板(2)接合于导体板(3)之上;(b)通过导线(17)将各半导体元件的各信号焊盘与中继基板的各控制焊盘连接;(c)将第1电极材料(18)接合于各半导体元件之上;(d)将具有短接部(21)的第2电极材料(19)接合于中继基板之上,短接部将各控制焊盘短接;(e)通过封装树脂(23)将导体板、各半导体元件、中继基板、第1电极材料及第2电极材料进行封装;以及(f)对封装树脂进行磨削而将短接部去除,使第2电极材料的一部分露出。

    半导体装置及其制造方法
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110178202B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201780082643.7

    申请日:2017-01-13

    Abstract: 半导体衬底(1)具有彼此相对的表面以及背面。栅极配线(2)以及第1及第2表面电极(3、4)形成于半导体衬底(1)的表面。第1及第2表面电极(3、4)通过栅极配线(2)而彼此分割开。绝缘膜(7)覆盖栅极配线(2)。电极层(8)跨过栅极配线(2)而形成于绝缘膜(7)以及第1及第2表面电极(3、4)之上。背面电极(9)形成于半导体衬底(1)的背面。第1镀敷电极(10)形成于电极层(8)之上。第2镀敷电极(11)形成于背面电极(9)之上。

    半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置

    公开(公告)号:CN116504667A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310057827.5

    申请日:2023-01-19

    Inventor: 中田洋辅

    Abstract: 目的是提供在半导体装置中能够对生产率的降低及制造成本的升高进行抑制并且对封装树脂和半导体元件的剥离进行抑制的技术。半导体装置具有:半导体元件(1),其被从半导体晶片(10)切割为俯视观察时呈四边形状;以及封装树脂(2),其对半导体元件(1)进行封装。半导体元件(1)具有流过主电流的单元区域(3)、与单元区域(3)相比设置于外周侧的末端区域(4)、将末端区域(4)的外周部的上表面覆盖的保护膜(5)。保护膜(5)具有在半导体元件(1)的四角处延展至最外端的延展部(5a)。延展部(5a)具有与末端区域(4)的切断面(4a)连续的切断面(5a),延展部在半导体元件1的除四角外的四边处没有延展至最外端。

    半导体装置的制造方法
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113972142A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202110809628.6

    申请日:2021-07-16

    Inventor: 中田洋辅

    Abstract: 本发明的目的是提供能够在具备半导体元件的结构中抑制静电破坏的半导体装置的制造方法,半导体元件具有感测单元部。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)将各半导体元件(1)及中继基板(2)接合于导体板(3)之上;(b)通过导线(17)将各半导体元件的各信号焊盘与中继基板的各控制焊盘连接;(c)将第1电极材料(18)接合于各半导体元件之上;(d)将具有短接部(21)的第2电极材料(19)接合于中继基板之上,短接部将各控制焊盘短接;(e)通过封装树脂(23)将导体板、各半导体元件、中继基板、第1电极材料及第2电极材料进行封装;以及(f)对封装树脂进行磨削而将短接部去除,使第2电极材料的一部分露出。

    半导体封装件、其制造方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN113169161A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201880099699.8

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。配线用元件包含:第2基板;多个第1中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接;多个第2中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数;以及多个配线,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。

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