一种双热源同步送丝、送粉的焊接方法

    公开(公告)号:CN110170723B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201910542774.X

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种双热源同步送丝、送粉的焊接方法,采用送丝装置、前置热源、后置热源、送粉装置,气体保护装置组成焊接系统,送丝枪头、前置热源、后置热源、送粉喷嘴在焊接方向串行排布,将送丝装置与前置热源相配合,实现送丝焊接,将送粉装置与后置热源相配合,实现送粉焊接,调节前置热源和后置热源间距和输出功率,由前置热源实现送丝焊并形成一定高度的焊缝余高,而后置热源在前置热源所形成液态金属熔池的末端再形成一个小熔池,熔宽为前置热源产生熔宽的1/5~1/2,并实施送粉焊接,焊缝余高为前置热源送丝焊焊缝余高的1/10~1/2,促进焊接熔池末端液态金属的流动,增加焊缝金属的填充,有利于裂纹、气孔等焊接缺欠的抑制。

    铜合金表面激光熔覆铜基金刚石颗粒增强复合涂层的方法

    公开(公告)号:CN111424270A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010449993.6

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明属于金属材料表面改性领域,公开了一种在铜及铜合金表面采用激光熔覆技术制备铜基金刚石颗粒增强复合涂层的方法。采用金属铬和银依次镀覆在金刚石颗粒表面,形成铬/银双镀层金刚石颗粒,将所述铬/银双镀层金刚石颗粒与紫铜粉进行混合配制金刚石/紫铜混合粉末,所述金刚石/紫铜混合粉末铺于铜合金基板,再铺上紫铜粉,进行烧结固化成型,然后采用激光熔覆的方法熔化预置的所述金刚石/紫铜混合粉末,凝固后形成铜基金刚石颗粒增强复合涂层。本发明采用双镀层预处理金刚石颗粒,有效避免了金刚石颗粒在加工中出现的结构损伤,同时解决了金刚石与铜基体的结合问题。

    一种激光焊气体保护装置
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107755908B

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201711058339.7

    申请日:2017-11-01

    Abstract: 一种激光焊气体保护装置,包括沿着焊接间隙设置的行走部分,所述行走部分包括分别位于焊接间隙的两侧且能够沿着焊接间隙行走的第一行走车和第二行走车,在第一行走车和第二行走车的一端共同支撑有向焊接位置运送焊丝的送丝嘴部分,还包括活动支撑在所述第一行走车和第二行走车上且能够从焊接间隙的两侧朝向焊接间隙吹气的横向气帘部分和活动支撑在第一行走车和第二行走车的另一端且能够在焊接间隙所在的竖直平面内朝向焊接位置吹气的纵向气管部分。该气体保护装置能够从侧向和纵向两个方向向焊接位置吹气以对焊接位置以及焊接位置的前后进行保护,改善激光焊的焊接效果。

    一种阀体零件深孔底部密封面激光熔覆的制造方法

    公开(公告)号:CN104816093A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201510261005.4

    申请日:2015-05-20

    CPC classification number: B23K26/123

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光熔覆技术的阀门零件深孔底部密封面堆焊制造方法,在阀体的深孔底部加工沉孔,沉孔的孔径、高度为阀门零件堆焊合金密封面的设计尺寸;阀体坯料激光熔覆前在热处理炉内进行预热;阀体预热后在阀体底部沉孔位置预置合金粉末,并向阀体深孔通入保护气体2~3分钟后开始激光熔覆;激光熔覆的激光扫描轨迹为螺旋形,激光熔覆的激光停止位置在非密封面,避免在密封面上出现弧坑裂纹。当需要多层激光熔覆时,前一层与后一层的激光扫描轨迹起点不重叠,需相差45~90°,堆焊层数增加时以此类推。采用该制造方法具有更加简易的阀门深孔底部密封面制备性和更高效的生产效率。

    提高铜膜抗氧化性能的等离子浸没离子注入方法

    公开(公告)号:CN101921991A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010275281.3

    申请日:2010-09-07

    Abstract: 一种材料表面改性技术领域的提高铜膜抗氧化性能的等离子浸没离子注入方法,包括如下步骤:取普通玻璃基片若干,将其先后置于去离子水和有机溶剂中超声清洗,烘干备用;将清洗后的玻璃基片固定在磁控溅射设备样品台上,采用沉积工艺制备铜膜;将沉积所得均匀铜膜取出并放置于等离子浸没离子注入设备上,利用金属棒作为靶源,进行离子注入处理,将所得铜膜置于加热炉氧化。本发明可以明显提高铜膜的抗氧化性能,且不存在改性层和铜膜之间的膜基结合力问题,等离子浸没离子注入技术是一种具有高度环保性的新型材料表面改性技术,且制备铜膜的磁控溅射技术也是一种无公害的膜沉积技术,故本发明具有高度的环保性。

    测量硅基体与膜基结合强度的方法

    公开(公告)号:CN101144770B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200710044482.0

    申请日:2007-08-02

    Abstract: 本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为:在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案,在窗口中预留部分基体作为加载的平台,基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中,当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时,记录发生的最大法向位移,由已有的公式得出自由能释放率,以此表征膜基体系的结合强度。本发明能克服已有检测设备定性测量或样品尺寸要求高的不足,可以依靠现有设备及成熟的制样工艺,利用接触式背面穿透法较快速地定量检测复杂形状下膜基结合强度的方法。

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