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公开(公告)号：CN106847765B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710018326.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带有微结构的散热基板，散热基板上端设置有多个凹槽，凹槽的槽壁与凹槽顶端设置有多个凸起的微结构；本发明通过在散热基板上设置多个凹槽，并且在凹槽上设置多个凸起的微结构，增大散热基板与导热胶之间的接触面积，使热量流通快，提高电子器件的散热效率，电子器件使用性能优异，且延长了电子器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109764264A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910032704.X
申请日：2019-01-14
Applicant: 上海大学
IPC: F21K9/90 , F21V29/85 , F21Y115/10 , B32B33/00 , C23C16/27 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开一种深海照明LED光源装置及制备方法。装置包括由下往上依次排列的热沉材料层、金属基层、梯度过渡层、硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层、电路层、绝缘层和灯珠，所述绝缘层采用类金刚石薄膜，所述灯珠位于所述绝缘层上。本发明的硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又降低了类金刚石薄膜的内应力，使得这种类金刚石薄膜在散热方面有良好的表现。本发明中的金属基层和梯度过渡层能够改善类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题。本发明利用类金刚石薄膜将LED面板和热沉材料键合在一起，提高了深海LED光源模块的整体散热能力。
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公开(公告)号：CN104576885B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410806017.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明的倒装LED封装构件，包括：基板、倒装LED芯片、导电层以及硅胶层；在所述基板上开设第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽之间形成阻隔件；设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内的导电层；所述倒装LED芯片的两电极分别对应设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内；所述硅胶层设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装构件，巧妙的利用在基板上开设的第一电极槽和第二电极槽，倒装LED芯片能够精准、便捷的设置在基板上，同时通过导电层固定倒装LED芯片，倒装LED芯片与基板互联更为简单，最后通过硅胶层实现倒装LED芯片的封装。
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公开(公告)号：CN104638091B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410806051.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/16195
Abstract: 本发明LED玻璃基板，包括：在所述玻璃基板开设的凹槽，在所述玻璃基板的侧壁开设通往所述凹槽的通孔，在所述通孔内设置与LED芯片连接的导线，盖合在所述凹槽的玻璃罩。上述LED玻璃基板结构，封装LED芯片四周采用的都是透明的玻璃，可完全实现全角度(即360°)无死角的发光，提高的了光的利用率。
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公开(公告)号：CN106928867A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710190725.5
申请日：2017-03-28
Applicant: 镓特半导体科技(上海)有限公司 , 上海大学
IPC: C09J4/02 , C09J4/06 , C09J163/00 , C09J171/02 , C09J9/02 , C09J11/06 , H01B1/22 , H01B1/24 , H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管导电胶，按重量份数计，包括金属填料20～35份、碳纳米管15～25份、环氧树脂30～40份、稀释剂1～5份、固化剂8～12份、偶联剂1～5份，所述碳纳米管在导电胶中平行排列。本发明提供的导电胶中包括高导电高导热的碳纳米管，碳纳米管可以填充金属填料之间的空隙，提高金属填料之间的接触面积，增加导电通道；同时，碳纳米管是一维材料，具有电、热传导各向异性，其电子结构也呈各向异性，能够在磁场或电场环境中定向排列，应用于电子器件中，碳纳米管的轴向为导热方向，垂直于碳纳米管导电胶所需粘结的两个端面，可以更好的利用碳纳米管的高导电导热特性，使导电胶具有优异的导热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996784A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187633.8
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/91 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法。包括密封层、负电极、荧光片、金丝、LED芯片、金属互连层、正电极、通孔、基板、底部正电极、散热面、底部负电极。在芯片与基板互连过程中，芯片封装于基板中心位置，基板厚度0.7mm，有利于减小扩散热阻；回流焊接时固晶压力为2N~3N，大大减少互连层中空洞的产生，从而减小界面热阻；固晶材料选用AuSn，AuSn材料热导率高且产生空洞少；这样封装方法有利于降低界面热阻及扩散热阻，提高LED模块散热性能，从而改善LED的性能。
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公开(公告)号：CN103560196A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310535148.0
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L27/153 , H01L23/535 , H01L33/20 , H01L33/54 , H01L33/62
Abstract: 一种倒装LED芯片结构包括外延片、多个LED芯片、金属条及绝缘层，多个LED芯片间隔分布于外延片表面，相邻两个LED芯片之间通过金属条电连接，每一LED芯片包括P极电极层及N极电极层，绝缘层填充于多个LED芯片之间的间隔处及P极电极层与N极电极层之间的间隔处，金属条嵌设于绝缘层中，位于外延片相对两侧最边缘的P极电极层与N极电极层外露于绝缘层。金属条嵌设于绝缘层里面，对金属条起保护作用，且金属条的宽度较大，提高了金属条的强度。多个LED芯片同时封装于一外延片上，减少或避免LED芯片的切割次数，防止切割对LED芯片的机械损伤，从而提高LED芯片的可靠性。同时提供一种倒装LED芯片封装结构。
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公开(公告)号：CN103178193A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310106339.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/27013 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构，在封装体内设置密封槽，在密封槽内，LED芯片的一端通过金属互连层与正电极表面部分焊接实现键合连接，密封槽主要由在安装LED芯片的焊接位置处制的防偏移凹槽形成，使LED芯片以间隙配合方式固定嵌入设置于防偏移凹槽内，防偏移凹槽作为芯片安装凹槽约束LED芯片的安装位置偏移，从而简化LED回流工艺，提高生产效率及可靠性。本发明还公开了该封装结构的制备工艺，通过刻蚀工艺或者精密机械加工技术制作一个比LED芯片尺寸略大的防偏移凹槽，优化回流焊接或共晶焊接，提高了发光二极管的生产效率及可靠性，提高封装的对位精度及美观，使发光二极管的出光均匀性显著提高。
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公开(公告)号：CN102769086A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210234808.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN101813275A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010167595.1
申请日：2010-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/00 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21V5/04 , F21V17/12 , F21W131/103 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及了一种高散热性能大功率LED路灯，它包括一个由灯壳与二次光学透镜组成闭合空腔中安装一个光源组件，该光源组件由一个接通光源的电源控制模块连接一个高散热大功率LED模块构成，提高了大功率LED路灯的性能及可靠性，有利于LED道路照明的早日普及。
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