公开(公告)号：CN102376709A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。

公开(公告)号：CN102104074A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010589260.9

申请日：2010-12-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉山隆英 ,  三角忠司 ,  岩畸真也

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/92

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101897027A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120102.X

申请日：2008-12-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 青井佐智子 ,  杉山隆英 ,  铃木隆司 ,  添野明高 ,  西脇刚

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种IGBT(10)，具有n+型的发射区(34)、n-型的漂移区(26)、被设置在发射区(34)和漂移区(26)之间的p型的体区(28)、在体区(28)内从发射区(34)朝向漂移区(26)延伸的沟槽栅(40)、和与沟槽栅(40)的表面接触的绝缘体的突出部(60)。突出部(60)的至少一部分突出至漂移区(26)内。突出部(60)对从表面部半导体区供给的电子移动至沟槽栅(40)的下方的情况进行物理性抑制，由此，能够抑制空穴被该电子吸引而在沟槽栅(40)的下方集中的情况。其结果为，能够对栅电容由于载流子的集中而随时间变动的情况进行抑制，从而能够提供高耐压量的IGBT(10)。

公开(公告)号：CN100452428C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN1967869A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1591897A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重复区域(39)对向，上述重复区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。