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公开(公告)号:CN107534121A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680023966.4
申请日:2016-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社 , 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社
Abstract: 本电池布线模块设置有多个汇流条,并且柔性布线板具有分别连接到各汇流条的多条导线。柔性布线板具有主体部分和从主体部分分别向各汇流条延伸的多个延伸部。延伸部中的每一个支承导线中的一条,并且延伸部中的每一个具有布置了焊垫的端部,所述焊垫为导线中的每一条的一部分。汇流条中的每一个具有至少一个切口部分,并且焊垫被布置在汇流条的每一个上,使得焊垫与至少一个切口部分的至少一部分重叠。焊垫和所述至少一个切口部分的所述至少一部分利用焊料彼此连接。
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公开(公告)号:CN105452765A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201480044776.1
申请日:2014-08-06
Applicant: 住友电工印刷电路株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: F21V19/00 , F21S2/00 , F21V29/00 , H01L33/00 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V19/002 , F21K9/232 , F21V29/70 , F21Y2107/40 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供能以低成本有效抑制正面侧发光强度变化的LED组件和LED发光装置。该LED组件设置有多个发光二极管。多个发光二极管仅布置在直圆锥体、直棱锥体、截角直圆锥体或截角直棱锥体的侧面上,所述侧面相对于底面具有55°-82°的倾斜角,多个发光二极管的发光表面与上述侧面大致平行并且相邻的发光二极管或发光二极管组的发光表面的垂直线投影在底面上而形成的投影线所形成的角度均彼此相等并为72°以下。优选的是,布置有发光二极管的侧面是直棱锥体或截角直棱锥体的侧面,一个或多个发光二极管布置在所述侧面上并且直棱锥体或截角直棱锥体的底面是5个以上侧边的多边形,该多边形形状的所有内角相等。
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公开(公告)号:CN102893707A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180019703.3
申请日:2011-06-07
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
IPC: H05K1/02 , F21V29/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H05K1/0203 , H05K1/028 , H05K3/0044 , H05K3/0061
Abstract: 本发明的课题在于提供一种挠性基板模块,其使用挠性基板,且对搭载的热源的散热性十分优良,并且柔软性、集成性也非常优良。挠性基板模块(1),作为在挠性绝缘基材(11)的表面侧层叠的表面层,形成印刷配线层(12),并且在该印刷配线层(12)上搭载热源(14),面接触地安装于作为安装对象的框体K上,其特征在于,作为在前述挠性绝缘基材(11)的背面侧层叠的背面层,其层叠多层由高导热材料构成的热扩散促进层(21、23),用于促进从前述热源(14)向印刷配线层(12)传热的热点面积朝向前述作为安装对象的框体K而扩大。
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公开(公告)号:CN101641847B
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200880009498.0
申请日:2008-01-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01S5/0206 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/2009 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光子晶体激光器(100),包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间,并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上,并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。
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公开(公告)号:CN1812147A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510133870.7
申请日:2005-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 发光装置是包括:作为氮化物半导体基板的GaN基板(1);在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1-xN层(3);从氮化物半导体基板看,远离n型AlxGa1-xN层(3)的p型AlxGa1-xN层(5);位于n型AlxGa1-xN层(3)以及p型AlxGa1-xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中,氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下,向下安装p型AlxGa1-xN层(5)的一侧,从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单,所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
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