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公开(公告)号：CN1624944A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN100438091C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410094689.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
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公开(公告)号：CN100414724C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
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公开(公告)号：CN1624944B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN100524851C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410090350.8
申请日：2004-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层；与第1导电型半导体层电连接的第1电极；以所定的图案设在第2导电型半导体层上的第2电极；和设在第2导电型半导体层上和上述第2电极上的金属反射膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1812147A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510133870.7
申请日：2005-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1－xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1－xN层(3)的p型AlxGa1－xN层(5)；位于n型AlxGa1－xN层(3)以及p型AlxGa1－xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1－xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
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公开(公告)号：CN100411208C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510133870.7
申请日：2005-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1-xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1-xN层(3)的p型AlxGa1-xN层(5)；位于n型AlxGa1-xN层(3)以及p型AlxGa1-xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1-xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
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公开(公告)号：CN1774821A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
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公开(公告)号：CN1619849A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410094689.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
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公开(公告)号：CN1614795A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410090350.8
申请日：2004-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层；与第1导电型半导体层电连接的第1电极；以所定的图案设在第2导电型半导体层上的第2电极；和设在第2导电型半导体层上和上述第2电极上的金属反射膜。
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