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公开(公告)号：CN102534502B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110455404.6
申请日：2011-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
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公开(公告)号：CN103840136A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310594381.6
申请日：2013-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 吉川博树
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/13 , C01B33/32 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/364 , C01B33/32 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蓄电器件用负极材料及其制造方法，所述蓄电器件用负极材料使用初次充放电效率及大气中的稳定性优异的Si系材料。此外，还提供包含这种负极材料的蓄电器件用电极及蓄电器件以及它们的制造方法。本发明提供一种蓄电器件用负极材料的制造方法，于存在溶剂的情况下，将可吸藏、放出锂离子的Si系材料和锂金属混炼混合，并在该混炼混合后实施热处理来形成硅酸锂，从而制造预掺杂锂的负极材料。
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公开(公告)号：CN103324024A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN101852984B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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公开(公告)号：CN102998894A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210329820.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102621802A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN102375326A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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公开(公告)号：CN100593755C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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公开(公告)号：CN100568091C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(-)、折射率为n(-)、消光系数为k(-)时，进行设计，使相位超前膜为k(+)＞a1·n(+)+b1，使相位滞后膜为k(-)＜a2·n(-)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝-0.116·d(+)-0.281，a2＝0.113·d(-)+0.774，b2＝-0.116·d(-)-0.281。
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公开(公告)号：CN101082768A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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