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公开(公告)号：CN117148677A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310637449.8
申请日：2023-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供改善图案形成时的分辨性，且能获得LER及分辨性、图案忠实性、剂量宽容度有所改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A1)表示的锍盐的淬灭剂；以及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用分解并在碱显影液中的溶解度增大的聚合物的基础聚合物。
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公开(公告)号：CN117069633A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310534593.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/00 , G03F7/42 , G03F7/20 , C07D493/08 , C07D333/76 , C07D333/46 , C07D335/12 , C07D327/08 , C07D279/20 , C07D339/08 , C07D335/02 , C07D333/54 , C07D495/10 , C07D309/10 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及新颖锍盐、抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供溶剂溶解性优异、且高感度、高对比度、曝光余裕度、LWR等光刻性能优异的抗蚀剂组成物使用的锍盐、含有该锍盐作为光酸产生剂的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明是一种下式(1)表示的锍盐。#imgabs0#式中，p为1～3的整数。R11为碳数1～20的烃基。Rf表示氟原子、碳数1～6的含有氟原子的烷基、烷氧基、硫醚基。q表示1～4的整数。RALU表示酸不稳定基团。r为1～4的整数。R12为碳数1～20的烃基。s为0～4的整数。t表示0～2的整数。Rf与‑O‑RALU键结于互为相邻的碳原子。X‑表示不含聚合性基团的非亲核性相对离子。
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公开(公告)号：CN116954024A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310445090.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供可获得改善了图案形成时的分辨率且LER及CDU经改善的抗蚀剂图案，缺陷少且可使用300～400nm的短波长进行缺陷检查的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及提供抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，分别以预定量含有：(A)下式(A1)表示的鎓盐化合物，(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且会因酸的作用而分解并增加在碱显影液中的溶解度的聚合物，但，不包含含有具内酯环的重复单元的聚合物，及(C)光酸产生剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115343911A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210518733.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F1/20 , G03F1/22 , C08F212/14 , C08F232/08 , C08F220/38 , C08F220/20
Abstract: 本发明涉及化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法。本发明课题是为了提供可满足良好的分辨率、图案形状、线边缘粗糙度，同时可抑制会成为掩膜缺陷的原因的显影残渣缺陷的化学增幅型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案的形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅型抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)高分子化合物，含有1种或2种以上的重复单元，而且该重复单元中的至少1种以上的重复单元是由2～6聚物的残存寡聚物为1000ppm以下的聚合性单体聚合而成的重复单元。
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公开(公告)号：CN115113483A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210264307.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供可形成有极高分辨率且LER小而矩形性优异，抑制了显影负载(loading)的影响的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包括基础聚合物，该基础聚合物含有：含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、以及含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物；该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为60摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN114924464A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210124479.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且改善LER及CDU的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用而分解并使于碱显影液中的溶解度增大的聚合物。式中，M为硫原子或硒原子。
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公开(公告)号：CN110878038B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910836697.9
申请日：2019-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/039 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及锍化合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明中新的锍化合物具有式(A)，包含聚合物和含有锍化合物的猝灭剂的正型抗蚀剂组合物在图案形成期间的分辨率和LER方面得以改进并且具有储存稳定性。在式(A)中，R1、R2、R3和R4独立地为C1‑C20一价烃基，p为0‑5的整数，q为0‑5的整数，和r为0‑4的整数。
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公开(公告)号：CN107688278B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710659370.X
申请日：2017-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法。本发明提供了一种包含(A)甜菜碱型的锍化合物和(B)聚合物的负型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物对于在曝光步骤期间控制酸扩散是有效的，且在图案形成期间呈现出非常高的分辨率，并形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN106662810B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580047940.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供包含游离的光致产酸剂和与光致产酸部分共价结合的多官能聚合物的负性抗蚀剂组合物，其中所述组合物基本不含交联剂。还提供可与抗蚀剂组合物联合使用的多官能聚合物，以及使用本发明组合物和聚合物在基底上产生抗蚀剂图像的方法。
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公开(公告)号：CN107037690B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710055684.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种高分子化合物、使用有该高分子化合物的负型抗蚀剂组合物及使用有该负型抗蚀剂组合物的图案形成方法，其中所述高分子化合物使用于实现50nm以下的高分辨率、小LER、且缺陷的产生非常少的负型抗蚀剂组合物中。所述高分子化合物含有以下述通式(1)所示的重复单元。[化学式1]
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