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公开(公告)号：CN117937230A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311822368.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H01S5/0239 , H01S5/02355 , H01S5/02345
Abstract: 本发明公开一种红外激光器件的堆叠封装方法，方法步骤包括在基板上均匀铺设一层散热层，将激光芯片固定安装于的所述基板上，并在所述激光芯片的外围制备透明硅树脂层和防串扰层，将所述激光芯片和驱动器电连通。在本发明中，通过将激光芯片和驱动激光芯片的驱动器进行一起封装，可以减少封装体积和封装次数，降低制造成本和提升效率。此外，通过在激光芯片的外围上设置光学结构，可以使器件准直出光。
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公开(公告)号：CN117219715B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311479226.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种MicroLED矩阵光源的制备方法，方法步骤包括：刻蚀外延片，并在穿透至P型半导体层和量子阱层后停止；在相邻的LED像素芯粒之间的沟道层填充防光串扰层；对芯片进行衬底剥离，并在裸露出的N型半导体层上制作N型欧姆接触层。在本发明提供的技术方案中，将防光串扰层的制作改在外延片键合集成到驱动背板之前，避免了键合后蚀刻工艺对驱动背板及LED器件的损伤，降低了工艺难度及成本；并在N型半导体层上制作一层透明金属网格的欧姆接触层，以提升N型半导体层的电流传导效率。此外，将芯片改为共N电极结构，可极大减少LED器件与驱动背板器件上N电极数量，减少电极面积占比，降低键合P、N电极对位的工艺难度。
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公开(公告)号：CN114242875B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111476963.5
申请日：2021-12-06
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H01L33/62 , H01L33/60 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21Y115/10
Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制作方法、照明装置及显示装置，发光器件设置了用于增大发光构件的电连接结构面积的扩展构件，扩展构件包括与两个电连接结构对应连接的两个扩展基材以及涂覆扩展基材上的绝缘反射涂层，绝缘反射涂层以露出扩展基材反面和部分露出扩展基材正面的形式覆盖所述扩展基材，绝缘反射涂层还填充两个扩展基材之间的间隔，绝缘反射涂层的设置既增强两个扩展基材之间的连接，还牢固制备过程中扩展基材和发光构件之间的连接，又可以起到反射光的作用，以上扩展构件结构可以做得很薄，厚度能做到小于50μm，绝缘反射涂层保证高的可靠性和高的出光强度。
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公开(公告)号：CN116516446A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310602198.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶圆电镀设备及其电镀方法，包括底座、电镀槽、支撑装置、转动装置、固定结构。电镀槽内设有阳极，且电镀槽内装有电镀液；支撑装置包括支撑架，支撑架沿其轴向的方向可转动地安装于底座上，并位于阳极的上方；转动装置包括转动支架，转动支架与支撑架活动连接，转动支架具有沿其轴向的方向进行自转、以及沿阳极的周向方向进行公转的活动行程；固定结构包括用以固定晶圆的夹具，夹具固定安装于转动支架的底部，以在带动晶圆沿其轴向的方向上进行自转、以及绕阳极的周向方向进行公转。目的是在电镀过程中使晶圆电力线分布更均匀，使得电镀后的晶圆厚度更均匀、结晶更细腻。
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公开(公告)号：CN111739902B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010619205.3
申请日：2020-06-30
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于微型发光单元的转移装置及转移方法，属于光电子技术领域。在实现时，先将微型发光单元按要求布置在置样板的UV膜上，由于UV膜有一定的粘性，可以对微型发光单元起到固定作用。通过固晶臂的真空气路将置样板吸附在玻璃压板上，并将置样板转移到固晶区进行固晶。待固晶操作完成，通过UV面光源的照射，使得UV膜失去粘性，完成对微型发光单元释放。该转移装置可以与常规固晶机的固晶臂配合使用，即可完成微型发光单元的转移，改装成本低，操作简便，转移效率高。同时，由于先进行微型发光单元的固晶再进行微型发光单元的释放，使得微型发光单元是在固定的状态下进行固晶，从而增加了微型发光单元固定的准确性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314482A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310132525.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/52 , H01L33/50 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种发光装置的制备方法，涉及半导体技术领域，方法步骤包括：制备带有田字格的耐高温UV膜，并将所述带有田字格的耐高温UV膜平铺在载台上；将芯片均匀的排列在所述带有田字格的耐高温UV膜中心；将点胶支架固定安装于所述带有田字格的耐高温UV膜底部；制备荧光胶，并将所述荧光胶均匀涂覆在芯片上，然后进行进烤；控制所述点胶支架和所述点胶支架上的钢片一起离模，将所述带有田字格的耐高温UV膜和芯片从所述载台上取下；分光机将所述带有田字格的耐高温UV膜上的成品芯片进行分光排片。在本申请提供的技术方案中，能够使得荧光膜厚度的保持、以及颜色保持一致。
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公开(公告)号：CN115483336A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211264923.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种制备具有倒角的CSP灯珠的方法，涉及半导体技术领域，方法步骤包括：在基底上通过钢网印刷出多个间隔排布的透明胶单体；将多个LED芯片分别转移到每一所述透明胶单体的中心，以使得所述LED芯片的四周形成圆弧形的倒角；烘烤所述透明胶单体，使所述透明胶单体半固化；在基底上喷涂一层覆盖所述LED芯片的白墙胶，并对所述白墙胶和所述透明胶单体进行烘烤，以使所述白墙胶和所述透明胶单体固化；从基底上解离CSP灯珠倒角材料，并对固化成一体的相邻两个所述透明胶单体进行切割；将多个所述透明胶单体剥离成单颗的具有倒角的CSP灯珠，并对所述具有倒角的CSP灯珠进行封装。本发明还提供一种制备具有倒角的CSP灯珠的钢网以及具有倒角的CSP灯珠。
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公开(公告)号：CN115079469B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210857880.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及一种光源、光源模组和显示装置，该光源包括发光元件，具有出射面以及两电连接部，电连接部厚度大于发光元件原本电极厚度；上反射层，配置于发光元件的上方与发光元件的上表面相对；下反射层，配置于发光元件的下方与发光元件的下表面相对；波长转换元件，包覆出射面除电连接部处并填充上反射层和下反射层间的空隙；沿发光元件的中心轴方向，出射面的投影落于上反射层内，发光元件的侧面的投影落于下反射层内，上反射层和下反射层之间的间距由内向外逐渐增大。通过以上方式，获得提亮且侧出扩光的光源，光源模组中可增大光源排布间距，但能保证出光亮度且出光均匀，应用于显示装置，且混光距离极小，成本低同时还更轻薄，适于产业化。
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公开(公告)号：CN115207172A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210630958.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种垂直发光芯片及其制备方法，包括：在蓝宝石衬底上生长解离层；在解离层上生长介质层，在介质层远离解离层的表面形成锥形凸起阵列；在锥形凸起阵列上覆盖缓冲层，缓冲层远离锥形凸起阵列的表面平整；在缓冲层上按顺序依次生长发光功能层和导电功能层；激光照射至解离层，蓝宝石衬底剥离下来。通过以上方式，可以减少垂直发光芯片中蓝宝石平衬底上发光功能层位错密度，获得高质量发光功能层，且该垂直发光芯片的内量子效率提升5％‑20％，光提取效率改善1％‑5％，反向漏电流情况减小，L70寿命延长10％以上。
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公开(公告)号：CN113888994A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111474793.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种发光器件及显示装置，该发光器件通过光提取构件提取半导体光源侧面（第二出光面）出射的光线，将侧面的光汇集至顶部与第一出光面一同出射至波长转换构件，从波长转换构件的顶部（第二抵接面）出射白光，经过透光层后通过透光层的厚度方向以及设有光抑制层的顶部出射白光，顶部白光会被光抑制层部分抑制。本发明的发光器件，能提升整体出光强度，部分抑制顶部出光，避免现有技术中顶部直接被全抑制，造成顶部出现暗区且整体亮度损失过大的情况，另外在用于显示装置中，混光距离可以很小，显示装置也更薄且整体亮度高。
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