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公开(公告)号：CN115911239A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211519002.2
申请日：2022-11-30
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件，涉及半导体技术领域，改变了常规的对称式电极结构设计，采用非对称式的电极结构以及大量的N孔，用以增加P电极和N电极之间的电流通道，降低P电极和N电极之间电压。发光元件的焊盘包括两个N型焊盘和一个P型焊盘，所述P型焊盘位于两个所述N型焊盘之间，所述N型焊盘的面积占比大于所述P型焊盘的面积占比，并且每一所述N型焊盘的端面上均匀的设有多个N孔。N型焊盘的面积占比更大，N孔的分布就更广，那么P电极和N电极之间的电流通道就会更多，P电极和N电极之间的电流扩展就会更充分，进而就能降低P电极和N电极之间电压。此外，本发明还提供一种制备发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN117374189B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311264936.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/832 , H10H20/831 , H10H20/853 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法，通过在P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，形成Ni/Al反射电极；在P型半导体层表面及Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，形成Ni/Au欧姆接触电极，以形成一种分离式P面电极结构。其中，Ni/Au作为欧姆接触电极，Ni/Al作为反射电极结构。这样相比常规Ni/Au反射电极，此新型P面反射电极反射率更高；相比常规的Ni/Al反射电极，此新型P面反射电极欧姆接触性能更佳。本发明提出一种分离式P面电极结构，分离式Ni/Al作为反射金属层用以提升光反射率，覆盖式Ni/Au作为欧姆接触金属用以降低接触势垒。采用这种分离式P面电极结构，可以有效平衡上述欧姆接触势垒和反射率性能，从而提升器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN116169236B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202211726443.X
申请日：2022-12-30
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/857 , H10H20/853
Abstract: 本发明提供了一种制备LED瞄准器的方法，在芯片上加工出多道发光区；将芯片切割开，并倒膜至导电膜上；检测芯片的光电性能，并剔除异常品，然后将相同档位的良品芯片转移至蓝膜上；将芯片固定在固晶区，并进行焊接；将每道发光区的Pad与支架的焊盘进行焊接；将UV膜贴附于芯片的发光区，并进行固晶按压；在金线上点涂胶水，然后使用烤箱，完成胶水的固化；将芯片进行切割、去胶，并进行测试包装。在本发明中，通过设计特定配比的胶水包裹金线，杜绝光线照射到金，并在胶水中添加物质表面呈哑光材质，降低瞄准光的反射，保证金线不对红光造成反射。此外，用胶水覆盖芯片表面核心发光区，保证红点核心发光区高洁净度，提高了瞄准器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN116885063A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310959597.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上依次生长出N型半导体层、P型半导体层；在P型半导体层的上表面刻蚀电流阻挡孔；在P型半导体层上光刻MESA图形，以形成PN台阶；在所述P型半导体层和所述N型半导体层的表面分别对应光刻出P接触电极图形和N接触电极图形；在所述P接触电极图形和所述N接触电极图形内对应沉积P接触电极和N接触电极；在发光元件的表面沉积一层Al2O3薄膜。通过在P型半导体层上刻蚀电流阻挡孔，减少P型半导体层表面吸光，增加P型半导体层表面电流扩展的均匀性，减少P型半导体层与ITO膜层接触面的全反射，从而达到蓝光mini LED提亮的效果。
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公开(公告)号：CN116437514A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310279289.4
申请日：2023-03-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种LED灯，包括灯体、杀菌模块、温度传感装置、流量调节装置、控制装置。灯体内部形成有腔体，灯体外表面上分别设有连通腔体的进水口和出水口；杀菌模块包括多个均匀安装于灯体外表面的杀菌灯板；温度传感装置包括温度传感器，温度传感器设于灯体的表面；流量调节装置包括流量调节阀，流量调节阀设于液冷回路中；控制装置包括控制器，控制器与温度传感器、流量调节阀通过电信号相连接，能根据温度传感器的电信号来控制流量调节阀开合度，进而调节进入腔体内的液体量，并当温度达到设定的最高温度阀值时，便会断电。在保证大功率LED灯体及时散热的前提下，能根据不同杀菌场景进行相应的散热方案，智能化控制无需人工操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169133A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211545668.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L21/50 , H01L33/52 , H01L33/50 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种多色光源的无基板CSP封装方法，将多个蓝光倒装芯片依次固到各色的荧光粉膜片上，并点透明硅胶，在点完透明硅胶后进行固晶；在固晶完成后放入烤箱中烘烤使胶水固化；在烘烤后进行等离子清洗；在相邻的蓝光倒装芯片之间注入白墙胶，并在点好白墙胶后放入烤箱中烘烤使其完全固化；采用分光测试机对多色光源的光电参数进行测试；采用水刀切割的方式将多色光源切割成单元的多色光源；将切割好的单元的多色光源放入烤箱中烘烤除湿；将单元的多色光源的成品通过分光数据的MAP图用分选机进行分选包装。相比现有方案带基板封装CSP固焊工艺，优化了多色CSP的封装工艺，提升良率的同时节省了封装成本；此外，光密度提升50％以上，出光效果更好。
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公开(公告)号：CN115954290A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310011763.5
申请日：2023-01-05
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片检测方法，包括如下步骤：获取半导体的外延晶圆的光电特性的分布状况；检查外延晶圆的外观，并标记出缺陷区域，生成外延晶圆的外观数据；在外延晶圆上完成芯片的制作；获取抽测的芯片的光电性数据；检查芯片的外观，并标记出缺陷区域，生成芯片的外观数据；合并外延晶圆的外观数据、芯片的光电性数据以及芯片的外观数据，对存在外延晶圆缺陷、芯片外观缺陷、芯片光电性抽测不良的区域进行标记，不予赋值；获取晶圆上抽测的芯片的光电性能分布的Map图，并结合AI算法对未抽测光电性的芯片进行赋值；赋值后合档，得到晶圆上芯片的全部光电性能参数。在本发明中，通过整合AI算法，突破性的提升测试系统的测试效率，解决测试难题。
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公开(公告)号：CN115911239B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211519002.2
申请日：2022-11-30
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/857 , H10H20/84 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种发光元件，涉及半导体技术领域，改变了常规的对称式电极结构设计，采用非对称式的电极结构以及大量的N孔，用以增加P电极和N电极之间的电流通道，降低P电极和N电极之间电压。发光元件的焊盘包括两个N型焊盘和一个P型焊盘，所述P型焊盘位于两个所述N型焊盘之间，所述N型焊盘的面积占比大于所述P型焊盘的面积占比，并且每一所述N型焊盘的端面上均匀的设有多个N孔。N型焊盘的面积占比更大，N孔的分布就更广，那么P电极和N电极之间的电流通道就会更多，P电极和N电极之间的电流扩展就会更充分，进而就能降低P电极和N电极之间电压。此外，本发明还提供一种制备发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN117374189A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311264936.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法，通过在P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，形成Ni/Al反射电极；在P型半导体层表面及Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，形成Ni/Au欧姆接触电极，以形成一种分离式P面电极结构。其中，Ni/Au作为欧姆接触电极，Ni/Al作为反射电极结构。这样相比常规Ni/Au反射电极，此新型P面反射电极反射率更高；相比常规的Ni/Al反射电极，此新型P面反射电极欧姆接触性能更佳。本发明提出一种分离式P面电极结构，分离式Ni/Al作为反射金属层用以提升光反射率，覆盖式Ni/Au作为欧姆接触金属用以降低接触势垒。采用这种分离式P面电极结构，可以有效平衡上述欧姆接触势垒和反射率性能，从而提升器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN116404075A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310337298.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法，涉及半导体技术领域，方法步骤包括：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；刻蚀穿透所述P型半导体层和所述量子阱层，以使得LED芯粒在所述量子阱层完全隔断，以形成独立的LED像素芯粒；在所述P型半导体层上沉积电流扩展层；在所述电流扩展层上沉积电流阻挡层；将LED芯片转移至驱动电路基板上，并完成封装。本发明提供的技术方案，可以取消MicroLED巨量转移技术中激光剥离衬底、去除残留金属镓、薄膜封装LED芯粒以及后续模组封装中的盖板点胶真空贴合等加工步骤，大大降低工程实施难度。
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