公开(公告)号：CN106868580A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。

公开(公告)号：CN103413788B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310383471.0

申请日：2013-08-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  亓东锋 ,  刘翰辉 ,  李成

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。

公开(公告)号：CN104867814A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510200903.9

申请日：2015-04-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  刘翰辉 ,  亓东锋 ,  李成

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02661

Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。

公开(公告)号：CN103132077A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310074218.7

申请日：2013-03-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  亓东锋 ,  刘翰辉 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: C23F1/02 ,  C30B33/08

Abstract: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。

公开(公告)号：CN102623386A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210106139.5

申请日：2012-04-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  黄诗浩 ,  卢卫芳 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/762

Abstract: 具有张应变的绝缘体上锗薄膜的制备方法，涉及一种制备具有张应变的绝缘体上锗(GOI)薄膜的方法。在SOI衬底上生长一层Si/SiGe/Si三明治结构；对Si/SiGe/Si三明治结构进行光刻、刻蚀处理后，再沉积保护层，然后采用剥离工艺去掉光刻胶；对样品进行选择性氧化和退火，得到局部GOI。

公开(公告)号：CN101388324B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。

公开(公告)号：CN101486765A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910111080.7

申请日：2009-02-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王大志 ,  陈荔 ,  李成 ,  黄旭光 ,  洪华生

IPC: C07K16/14

Abstract: 有害赤潮生物细胞表面特异性抗体及其制备方法，涉及一种抗体。提供一种有害赤潮生物细胞表面特异性抗体及其制备方法。抗体为机体在赤潮藻表面抗原物质刺激下，由B细胞分化成的浆细胞所产生的、可与相应抗原发生特异性结合反应的免疫球蛋白。先制备不被胞内蛋白污染的东海原甲藻和链状亚历山大藻全细胞表面抗原，再与完全福式佐剂混合，将混合液注射入新西兰白兔内，注射抗原后再强化注射；于收集抗体血清之前的3～8天收集新西兰白兔耳静脉血液，检测抗体产生情况；最后一次注射后的第3～5天收集实验兔的全血液，静置，离心，收集血清后分装，贮存。对于藻类赤潮，利用该抗体可以迅速的检测相对应的赤潮藻种，检测极限可以达到十几个细胞。

公开(公告)号：CN101388324A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。

公开(公告)号：CN101221996A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810070524.2

申请日：2008-01-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0256

Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1－yGey层，吸收区为Si1－zGez(y＜z≤1)层或Si1－zGez/Si1－yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1－xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1－yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。

公开(公告)号：CN106847681B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。