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公开(公告)号：CN113567510A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110651789.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种MXene基复合金属纳米点结构气体传感器的制备方法，包括以下步骤：将MXene材料与至少两种金属前驱体在分散剂中混合，在反应条件下完成金属纳米点在所述MXene材料上的自组装原位生长；将完成金属纳米点在所述MXene材料上原位生长的复合材料均匀转移至衬底上后进行真空退火，以使所述MXene材料与所述金属纳米点形成焊接紧密接触；在所述复合材料两侧引入金属电极，制成电阻型气体传感器；多层状的MXene材料可以形成气体捕获器，负载于MXene材料上的金属纳米点增强了对流通气体的捕获，引起电阻发生变化从而进行气体传感，提高了气体传感的响应速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN113526507A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110651786.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/921 , C01B21/076 , B22F9/24 , B22F1/00 , H01B1/02 , H01B5/14
Abstract: 本发明涉及MXene材料技术领域，特别涉及一种新型MXene金属纳米复合材料、制备方法及应用，其中，一种新型MXene金属纳米复合材料，包括若干MXene材料层；负载于所述MXene材料层间的金属纳米线；本发明提供的一种新型MXene金属纳米复合材料，金属纳米线插层负载于MXene材料层间，MXene材料层的表面及层间的金属纳米线可以随意组合成金属纳米线网络，不仅能够起到MXene层间支撑的作用，避免了MXene材料层间塌陷的问题，使MXene材料暴露出更多的比表面积，提供更多的活性位点以及层间储能空间，进而提升MXene金属纳米复合材料在实际应用中的导电性、电化学性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN113178504A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110261170.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18 , H01L33/00 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/InGaN多量子阱；该器件具有白光发射通道和不可见光探测通道，白光发射通道具有照明及下行信号调制发射功能，不可见光探测通道具有上行调整信号接收功能，两通道可在单芯片上进行光的独立平行传输，并且实现上行电信号的接收和下行电信号的发送。本发明还提供了一种全双工可见光无线通信系统。本发明实现了Li‑Fi功能的单芯片集成，具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN111029449B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN110429159B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910611191.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，实现色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制造方法。该LED器件为肖特基势垒的LED器件，透明电极材料作为金属层，超薄介质材料作为势垒绝缘层，n或p型GaN作为有源层。通过调节透明金属层功函数，使得载流子可以隧穿至有源层与不同能级载流子复合发出宽谱白光，以此可以获得一种结构简单，色温可调、显色性高的单芯片无荧光粉的白光LED器件。其具有体积小、寿命长、稳定性好、发光效率高、显色性高、响应速度快等优点，将成为未来高温工作、高稳定性、高性能的极简洁单芯片白光LED的重要器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108580924B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810588079.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米材料液相连续合成方法，1)设计纳米材料连续反应装置；2)配制预反应液；3)通过控制阀自动控制预反应液流进预反应装置中的反应瓶；4)通过微机控制加热炉进行升温反应；5)升温反应完成后，通过控制阀自动控制含有纳米材料的反应液流出反应瓶到收集瓶；6)连续生长前预反应瓶内充分储备多次反应所需的预反应液，使用设计安装好的垂直式连续生长实验设备，重复3)～5)，实现纳米材料的连续生长；7)对纳米材料进行提纯，完成纳米材料液相连续合成。在小体积的恒温加热炉体内，通过系统控制的垂直联通容器和管道，实现程序化连续生长，在较小空间中大幅提高液相合成纳米材料的产量，适用于实验室合成及工业化生产。
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公开(公告)号：CN108963092A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810186373.0
申请日：2018-03-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件，有助于提高器件的散热性、透光率以及使用寿命，提高LED器件的性能。
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公开(公告)号：CN106468015B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610843658.8
申请日：2016-09-23
Applicant: 厦门大学
Inventor： 蔡端俊
IPC: D06M11/83 , D06M15/07 , D06M15/09 , D06M15/643 , D06M11/79 , D06M15/693 , B22F9/24 , B22F1/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , D06M101/06 , D06M101/10 , D06M101/16
Abstract: 一种彩色轻质导电纺织线的制作方法，涉及纺织品的加工。包括以下步骤：1)合成铜纳米线；2)制备铜银核壳结构纳米线；3)将步骤2)得到的铜银核壳结构纳米线与纤维素混合溶剂混合，得导电处理液，具体方法如下：将纤维素溶于乙酸乙酯和乙醇混合液中，再加入步骤2)得到的铜银核壳结构纳米线，振荡后即得导电处理液；4)纺织品经导电处理液浸泡后，提取、静置、干燥，得导电纺织线；5)重复步骤4)以增加纺织线的电导率；6)将导电纺织线包裹透明硅胶膜，得彩色轻质导电纺织线。可将各种纺织物制作为导电材料，且保持其本身的颜色、柔韧性、可洗涤性，制作方法简便，无需加热、化学处理。
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公开(公告)号：CN104078164A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410327046.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法，涉及金属透明薄膜电极的制备。提供可有效改善Cu纳米丝电极的抗氧化性和光电特性的一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法。制作Cu纳米丝薄膜电极；在Cu箔上低温生长石墨烯；调控Cu纳米丝的真空熔点；在Cu纳米丝网络上包裹石墨烯碳膜。采用铜箔胶囊将样品密封，利用磁力杆严格控制样品的固化时间和反应时间的方法，可使得Cu纳米丝在中高温度下保持形貌稳定，并完成包裹石墨烯碳膜后的迅速降温退火处理，使得石墨烯碳膜得以在有效时间内均匀包裹在Cu纳米丝的整个侧壁表面，形成同轴型的包裹结构。
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