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公开(公告)号：CN109346400A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811208179.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。包括如下步骤：利用MOCVD在c面蓝宝石上外延GaN薄膜，制成GaN/蓝宝石基底；将GaN/蓝宝石基底放置于高温氧化炉中，在900～1000℃下通入高纯氧气2～5小时后，升温至1100～1200℃继续通入氧气1～2小时；降温后得到Ga2O3/GaN/蓝宝石基底；利用MOCVD在Ga2O3/GaN/蓝宝石基底上采用温度渐变外延工艺继续外延Ga2O3，获得高质量的Ga2O3薄膜材料。本方法将GaN薄膜材料通过两步热氧化工艺制成Ga2O3/GaN/蓝宝石基底，并利用温度渐变工艺外延Ga2O3薄膜材料，可显著提高Ga2O3薄膜的晶体质量。该方法可用于Ga2O3基异质衬底器件的制备，且工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN108417488A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810213884.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法，所述复合绝缘结构由AlN薄膜层以及在所述AlN薄膜层表面氧化形成的氧化层构成，其中，AlN薄膜层用于抑制由隧穿引起较大漏电流的同时提高器件的散热能力，而氧化层由于具有较低的界面态密度和较高的致密平整度，有利于后续进行电器元件制作时使用；所述晶体管中的有源层生长于复合绝缘结构中的氧化层上，其利用复合绝缘结构中氧化层表面较低的界面态密度和较高的致密平整度特点，来改善晶体管中有源层与绝缘层之间的界面特性，进而降低晶体管的漏电流、提高工作速度以及散热能力。
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公开(公告)号：CN107863424A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711110768.4
申请日：2017-11-13
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/0012 , B82Y30/00 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/26
Abstract: 一种基于钙钛矿薄膜的全无机发光器件及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。自下而上由层叠结构的ITO玻璃衬底、ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3薄膜发光层、NiO空穴传输层和Au、Al等阳极电极层组成，其中ZnO电子传输层制备在ITO玻璃衬底的ITO导电膜上，ITO导电膜作为阴极电极层；X为Cl、Br或I元素。钙钛矿CsPbX3薄膜表面平整无针孔，并且晶粒尺寸较小，容易实现高效辐射复合发光，发光纯度高并且通过调控卤素原子的掺杂比例可实现发光范围可调。所述器件中的电子/空穴传输层均采用性质稳定的无机材料ZnO/NiO，可以保证所述器件的工作环境要求低，性能稳定。
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公开(公告)号：CN103603038B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310670277.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有水平式多孔喷淋装置的光辅助型MOCVD反应器，属于超导薄膜制备技术领域。其包括上下两个腔，上腔为由灯罩（1）和隔离板（2）围成的灯腔，下腔为反应腔；反应腔由水平喷淋头（4）、反应腔侧壁（5）和反应腔底座（7）围成；水平喷淋头（4）为具有一定厚度的长方体形结构，其由两个进气口、一个混气腔、多个等径等间距小出气孔和圆柱形空腔组成，多个小出气孔的出口均设置在圆柱形空腔内，水平喷淋头（4）安装在反应腔侧壁（5）的上方并与之焊接在一起。使用水平喷淋头增加了进气的横向分布均匀性，配合可旋转的基座可以确保基片生长速度的径向均匀，从而可确保至少3片直径2英寸的超导外延片均匀生长。
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公开(公告)号：CN104953469A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510217380.9
申请日：2015-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的 方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p-NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的 方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里-珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681677A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510086426.8
申请日：2015-02-17
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及一类具有微孔结构的NiO-AlGaN紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的AlN缓冲层和下限制层、下限制层上制备的相互分立的AlGaN材料系多量子阱发光层和下电极、发光层上制备的p型AlGaN上限制层、上限制层上制备的p型空穴注入层、空穴注入层上面制备的上电极构成，下限制层是两次完成生长的具有微孔结构的n-AlGaN外延层，p型空穴注入层是p型NiO薄膜，p型AlGaN上限制层的厚度为5～150nm。本发明利用微孔高效吸收应力与位错，提高外延层晶体质量，利用高空穴浓度的NiO薄膜提高空穴注入效率，以提高紫外发光管的输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN103603038A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310670277.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有水平式多孔喷淋装置的光辅助型MOCVD反应器，属于超导薄膜制备技术领域。其包括上下两个腔，上腔为由灯罩（1）和隔离板（2）围成的灯腔，下腔为反应腔；反应腔由水平喷淋头（4）、反应腔侧壁（5）和反应腔底座（7）围成；水平喷淋头（4）为具有一定厚度的长方体形结构，其由两个进气口、一个混气腔、多个等径等间距小出气孔和圆柱形空腔组成，多个小出气孔的出口均设置在圆柱形空腔内，水平喷淋头（4）安装在反应腔侧壁（5）的上方并与之焊接在一起。使用水平喷淋头增加了进气的横向分布均匀性，配合可旋转的基座可以确保基片生长速度的径向均匀，从而可确保至少3片直径2英寸的超导外延片均匀生长。
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公开(公告)号：CN101237016A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN117410378A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311384367.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/06
Abstract: 一种基于砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器及制备方，属于半导体光电探测器技术领域。由Au电极、p‑GaAs衬底、UID‑Ga掺杂2O3)低温缓冲层‑Ga2O3薄膜、、nn+((轻重掺杂)‑Ga2O3欧姆接触层、Ti/Au透明电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺完成。本发明能够实现光暗电流比大、低噪声、高响应的砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器的制备，可以在光照强度为300μW/cm2时，实现3×104的光暗电流比和0.6A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器缺少P型、光暗电流比低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的光暗电流比，促进其实际应用。
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公开(公告)号：CN109978161B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910268608.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的卷积‑池化同步处理卷积核系统，属于机器学习中卷积神经网络加速技术领域。针对现有的机器学习方法采用软件实现，存在计算能力有限，成本较高等问题，本发明采用硬件设计实现机器学习，以卷积‑池化同步处理的方式来实现对卷积神经网络进行加速的目的，能够在准确率不改变的前提下，能够快速、低功耗、高效率的实现机器学习。现有的卷积神经网络通常的卷积核为固定大小，不能够适应各种设计需要，本发明中的卷积核，能够改变卷积核大小、步长等参数，能够适应各种情况下的设计需要。
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