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公开(公告)号:CN103227287A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310140724.1
申请日:2013-04-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法,属于聚合物太阳能电池技术领域。依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、PSBTBT:PC70BM:NPs活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极、WO3空穴传输层、P3HT:PC70BM:NPs活性层、LiF电子传输层和Al阴极组成,P3HT:PC70BM:NPs活性层的质量比为1:1:0.02~0.05,其中NPs代表Au或Ag纳米粒子。本发明通过将活性层吸收光范围互补的两个子电池组成并联结构,并且在每个子电池的活性层中掺杂金属纳米粒子,利用金属纳米粒子附近的等离子增强效应提高太阳能电池对于太阳光的利用率,从而提高太阳能电池的性能。
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公开(公告)号:CN102621714A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210127189.1
申请日:2012-04-27
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域,涉及一种基于热光效应驱动的SOI和聚合物混合集成的F-P谐振腔可调谐光滤波器及其制备方法。沿着输入光信号方向依次是输入波导、由硅和聚合物交替组成的第一DBR阵列、聚合物F-P谐振腔、由硅和聚合物交替组成的第二DBR阵列、输出波导组成,且在聚合物F-P谐振腔的上表面设置有加热电极;从输入脊型波导出来的光,依次进入第一DBR阵列、F-P谐振腔和第二DBR阵列;光束在聚合物F-P谐振腔中经过多次反射、干涉,形成稳定输出的光场后,满足微腔谐振条件的特定频率值的光将由输出脊型波导输出。本发明器件可以通过使用不同的聚合物材料实现波长调谐范围的可控性,并且能实现大的调谐范围。
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公开(公告)号:CN1731596A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200510017007.5
申请日:2005-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是:首先采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜,然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面,最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液,常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时,整流比大于160)的异质结二极管,并且其制备方法简单便于掌握。
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公开(公告)号:CN119907319A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202510109226.3
申请日:2025-01-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/20 , H10F77/169 , H10F71/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgZnO/InGaO异质结光敏感层的高性能光电导型日盲紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。器件从下到上由SiO2/FTO衬底、在FTO表面生长的MgZnO纳米薄膜、在MgZnO纳米薄膜表面生长的InGaO纳米薄膜、在InGaO纳米薄膜表面和FTO表面制备的Ag电极组成,MgZnO纳米薄膜和InGaO纳米薄膜构成异质结光敏感层。本发明制备的光电导型日盲紫外探测器,当处于光照条件下时,复合薄膜协同参与光子吸收,同时光电导型器件具有高增益特性,使得器件具有突出的光电流,并在日盲区(260nm)处达到光响应度峰值,为高性能日盲紫外探测器的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号:CN119855457A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202510060329.5
申请日:2025-01-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机‑钙钛矿量子点活性层的倍增型光电探测器及其制备方法,属于有机光电器件技术领域。依次由ITO导电玻璃阳极、聚(2,3‑二氢噻吩并‑1,4‑二恶英)空穴传输层、有机‑钙钛矿量子点活性层和铝金属阴极组成。本发明提出了将CsPbBr3钙钛矿量子点引入P3HT有机材料的策略,量子点可以有效作为有机材料中的电子陷阱,光照下有机电子给体材料产生光生电子后电子被量子点电子陷阱捕获,活性层与阴极界面处被陷阱俘获的电子密度增加导致能带向下弯曲,势垒宽度减小。同时作为P型材料的P3HT在光照下产生的大量空穴难以被量子点电子陷阱捕获,空穴在外加电场作用下由于隧穿效应大量穿过宽度减小的势垒形成倍增电流。
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公开(公告)号:CN114824119B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202210623748.1
申请日:2022-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于三元官能团协同增强界面钝化的钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于钙钛矿发光二极管技术领域。从下至上依次由ITO导电玻璃衬底、氧化锌纳米粒子电子传输层、乙氧基聚乙烯亚胺电子修饰层、钙钛矿层、5‑氨基戊酸‑三氟乙酸盐钙钛矿钝化层、聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)空穴传输层、三氧化钼电极修饰层和Au电极组成。本发明利用5‑氨基戊酸的‑NH3+和三氟乙酸的‑O‑分别钝化FA空位和I空位,5‑氨基戊酸的官能团‑OH能与FA+形成H‑O…H‑N键,抑制FA+的迁移和热挥发,降低缺陷态密度,抑制非辐射复合并且提高载流子传输,进而提高钙钛矿发光二极管的性能和稳定性。
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公开(公告)号:CN114924302A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210534282.8
申请日:2022-05-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿材料的X射线探测装置和探测模块的制备方法,本装置包括基于钙钛矿材料的探测模块、电压偏置模块、信号调理模块、信号转换模块和控制核心模块;其中探测模块用于检测待测环境的X射线信号,并产生模拟电流信号;信号调理模块和信号转换模块在控制核心模块的控制下,将模拟电流信号转换为数字信号,电压偏置模块用于为探测模块提供不同幅值的偏置电压,以驱动所述探测模块在不同工作环境下完成工作。本发明的一种基于钙钛矿材料的X射线探测装置通过简单的电路结构的形式用于检测待测环境的X射线,通过调节不同的偏置电压,使探测模块在不同工作环境下完成工作,为钙钛矿材料在X射线领域的应用提供新方法。
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公开(公告)号:CN111146343B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202010044782.4
申请日:2020-01-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二硫化钼/碳量子点界面层以及金纳米粒子包覆碳点修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、PTAA空穴传输层、CNDs@Au修饰层、钙钛矿活性层、PCBM钝化层、MoS@CNDs界面层、BCP电子传输层、Ag阳极组成。本发明通过简单水热方法合成低成本环保型碳量子点材料,利用二维二硫化钼作为载体,制备二硫化钼运载碳量子(MoS@CNDs)的二维新型材料,碳量子点表面羟基与羧基能够有效结合Ag+,二维二硫化钼也能够有效阻挡Ag+与I‑之间的相互扩散,阻止反应的进一步进行。同时,以CNDs@Au材料作为修饰层,进而进一步提高器件稳定性与光电转换特性。
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公开(公告)号:CN112238723A
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN201910842180.0
申请日:2019-09-06
Applicant: 吉林大学
IPC: B60G17/015
Abstract: 本发明公开了一种车辆胎压速降应急防护控制系统及其控制方法,中央处理模块的输入接口与胎压及车辆状态监测模块相连,输出接口与控制模块和报警器相连。执行模块的核心执行机构:胎压速降应急防护装置,包括平行四边机构、气囊组件和防撞块等,气囊组件包括气体发生器和防护气囊等。在车辆发生胎压速降等异常时,本发明能根据胎压下降速率、车速、路况等信息报警或同时执行应急防护操作:以合适的方式引爆各悬架处的防护气囊,并在平行四边机构的作用下,垂直嵌入固定在各车轮顶处车身上的防撞块凹坑内,起到类似主动悬架调节车身姿态和车轮定位参数等作用,重新分配作用在各车轮上的垂直载荷,从而调节各车轮受力,使车辆迅速趋于理想运动状态。
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公开(公告)号:CN111740018A
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:CN202010645536.4
申请日:2020-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带、低噪声、超快响应的级联结构有机光电探测器及其制备方法,属于有机光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阴极、ZnO阴极缓冲层、PTB7-Th:ITIC底部有源层、MoO3/Ag/PEIE内部复合区、PTB7-Th:FOIC顶部有源层、MoO3阳极缓冲层和Ag阳极组成。全色光照射条件下,内部复合区形成一个复合中心,保证级联结构光电探测的正常工作;单色光照射时,器件内仅有底部或顶部子单元表现出p-i-n结的特性,另一个子单元则等效于导体进行载流子传输,减少器件内界面捕获效应,使器件响应速度提高;暗态条件下MoO3和PEIE分别阻挡来自顶层的电子和来自底层的空穴,有效提高电子和空穴的注入势垒/势阱,使暗电流降低。
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