公开(公告)号：CN108496244A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008343.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。

公开(公告)号：CN108352140A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063187.7

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345

Abstract: 阵列基板(11b)具备：玻璃基板(GS)，其被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，它们在非显示区域(NAA)一部分开口而形成栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)；栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)，它们从与栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)的边界位置竖立而相对于玻璃基板(GS)的板面呈倾斜状；以及重叠部(30)，其以跨越栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)、栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)的方式与它们各自的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN108140675A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059777.2

申请日：2016-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/32 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 半导体装置在基板(10)上具备第1薄膜晶体管(101)，第1薄膜晶体管(101)具有：副栅极电极(12)；第1绝缘层(14)，其覆盖副栅极电极；主栅极电极(16)，其形成于第1绝缘层上；第2绝缘层(18)，其覆盖主栅极电极；氧化物半导体层(20)，其具有包含第1层(20A)和第2层(20B)的层叠结构，第2层(20B)设于第1层上，与第1层相比带隙较大；以及第1源极电极(22)及第1漏极电极(24)，当从基板法线方向观看时，氧化物半导体层(20)包括：栅极相对区域(20g)，其与主栅极电极重叠；源极接触区域，其与第1源极电极(22)接触；漏极接触区域，其与第1漏极电极接触；以及偏置区域(30s、30d)，其设于栅极相对区域与源极接触区域之间和栅极相对区域与漏极接触区域之间中的至少一方，偏置区域的至少一部分隔着第1绝缘层(14)和第2绝缘层(18)与副栅极电极(12)重叠。

公开(公告)号：CN104205310A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018493.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：在基板(2)之上形成的栅极电极(3)；在栅极电极之上形成的栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，该氧化物层(50)形成在栅极绝缘层之上，包含半导体区域(51)和导电体区域(55)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极之上形成的保护层(11)；和在保护层之上形成的透明电极(9)。透明电极的至少一部分隔着保护层与导电体区域重叠，导电体区域的上表面与具有使氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(61)接触。还原绝缘层不与半导体区域的沟道区域接触。