基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器

    公开(公告)号:CN111061069A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN202010004894.7

    申请日:2020-01-03

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器,特点是由下到上包括依次相叠的硅衬底、二氧化硅层和硅薄膜基座,硅薄膜基座上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导,硅薄膜基座包括两个对称设置的未掺杂硅薄膜区、位于两个未掺杂硅薄膜区之间的两个对称设置的重度掺杂硅薄膜区和位于两个重度掺杂硅薄膜区之间的轻度掺杂硅薄膜区,输入波导和输出波导位未掺杂硅薄膜区的顶面中央,混合波导位于轻度掺杂硅薄膜区的顶面中央,混合波导由沿水平方向设置的相变材料GST和对称设置在相变材料GST两侧面的硅波导构成,重度掺杂硅薄膜的顶面设置有金属触点,优点是结构紧凑、驱动电压小、消光比高且功耗低。

    一种硫系玻璃微透镜的热压成型制备方法

    公开(公告)号:CN110698042A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201910916953.5

    申请日:2019-09-26

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种硫系玻璃微透镜的热压成型制备方法,以熔融淬冷法制备的硫系玻璃块体作为预形体,利用特定的热压成型装置,通过特定的模具和工艺,制备得到硫系玻璃微透镜。本发明公开的硫系玻璃微透镜的热压成型制备方法,单次可以模压制备多片小口径硫系玻璃微透镜,能够大批量生产小口径硫系玻璃非球面微透镜镜片,生产效率高,且生产的微透镜镜片的形状、大小和质量的一致性和均匀性高,此外,本发明制备方法以预形体作为模压对象,操作简单且可充分利用原料,从而大幅降低微透镜的生产成本。本发明制备方法制备的硫系玻璃微透镜可广泛应用于车载夜视、手持工业监控、红外手机等所需的各种小口径红外成像镜头。

    一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法

    公开(公告)号:CN106744669B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201611046605.X

    申请日:2016-11-23

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法,特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线,经过光学显微镜选取纳米线并定位,在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口,利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上,采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力,再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件,优点是实现纳米线的分散,并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法,且转移后,其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比,更加简单、经济,适用范围更广。

    一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法

    公开(公告)号:CN106348246B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610995840.5

    申请日:2016-11-11

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法,其特征在于:包括以下步骤:1)在Si/SiO2基片上镀上一层GeSbSe膜;2)将清洗后的基片上涂覆光刻胶并且制备出光刻胶掩膜;3)将带有光刻胶掩膜的基片在ICP刻蚀机内进行刻蚀,刻蚀时同时通入四氟化碳气体和三氟甲烷气体;该四氟化碳气体和三氟甲烷气体的气体流量分别为5sccm‑15sccm以及15sccm‑30sccm;4)刻蚀完成后去除残胶。本发明的优点在于利用两种气体的合理配比和通入量,能够实现对刻蚀的波导侧壁的形貌的改善,并且降低波导的传输损耗。

    一种基于相变材料的电光调制器

    公开(公告)号:CN108279511A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201711453218.2

    申请日:2017-12-28

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的电光调制器,包括SOI基片,特点是SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导,所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成,SOI基片包括一层厚度为250nm的硅衬底和一层厚度为2um的二氧化硅层,输入波导的厚度和输出波导的厚度均为250nm、宽度均为400nm,混合波导的厚度为290nm,宽度为400nm,硅波导层一侧通过选择性刻蚀形成厚度为10nm的硅薄膜,优点是具有尺寸小便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较高的调制深度以及较低的插入损耗。

    一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102605334A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210065051.3

    申请日:2012-03-13

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法,特点是采用纯度为5N的高纯圆块状GexSbySe1-x-y玻璃作为靶材,采用磁控溅射装置,以高纯氩气为溅射工作气体,采用石英片或硅片为衬底材料,包括在靶材背面贴合铜片的步骤;将衬底材料放入浓硫酸与双氧水的混合溶液中预处理并轰击衬底材料表面3分钟,对衬底材料进行等离子体清洗的步骤;控制溅射腔室内的氩气工作气压为0.05Pa-3Pa,调节射频功率20W-60W,预溅射10分钟的步骤;最后溅射沉积2-3小时制得Ge-Sb-Se非晶薄膜的步骤,优点是工艺可控性强,生产成本低,重复性好,非晶薄膜组分偏差小、附着强度高、膜质均匀致密。

    一种红外玻璃内部缺陷和残余应力检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN102226771A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110073407.3

    申请日:2011-03-25

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种红外玻璃内部缺陷和残余应力检测装置及检测方法,检测装置包括按顺序排列的红外光源、扩束镜、直径可调的光栏、样品架和红外摄像装置,特点是还包括起偏器和检偏器,起偏器设置在光栏和样品架之间,检偏器可在起偏器和样品架之间或样品架和红外相机之间任意切换,样品架连接有位置控制器,红外光源、位置控制器和红外摄像装置分别与控制计算机连接,优点在于通过移动检偏器位置,在同一检测装置上分别实现了对红外玻璃内部缺陷和残余应力的检测,成本低、精度高。

    受控非门器件
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119148444A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411657939.5

    申请日:2024-11-20

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本公开提供了一种受控非门器件,该受控非门器件包括波导结构和相变材料结构;波导结构包括级联设置的两个定向耦合器;每个定向耦合器的耦合区域均设有相变材料结构;两个相变材料结构的状态分别对应控制量子位和目标量子位的初始状态;一个定向耦合器用于接收外部光源产生的光线;相变材料结构用于分配光线从不同的定向耦合器输出的输出功率;两个定向耦合器输出的光线的输出功率分别对应控制量子位和目标量子位的结果状态。本公开通过相变材料结构结合波导结构,形成受控非门器件,克服了现有技术的受控非门器件存在的能量损耗高的问题,提升了能量利用率,提高了器件性能,且器件尺寸较小,大大提高了集成度,具有广阔的应用前景。

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