以碳纳米管石墨烯气凝胶为负极材料的能量收集器件及制备方法

    公开(公告)号:CN111268638A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010067988.9

    申请日:2020-01-21

    Abstract: 本发明涉及能量收集技术领域,具体涉及一种以碳纳米管石墨烯气凝胶为负极材料的能量收集器件及制备方法,先分别制备碳纳米管和氧化石墨烯分散液,将其混合均匀后超声分散形成均匀混合液;混合液经反应后得到复合材料水凝胶;将水凝胶水醇透析后,冷冻干燥得到碳纳米管石墨烯气凝胶;将金属铜箔、导电银浆与气凝胶按“三明治”结构制备成能量收集器件负极,用泡沫镍作正极,氯化钠溶液为电解液,PVDF作为外壳,完成封装制得能量收集器件。本发明采用碳纳米管石墨烯气凝胶作为电极材料,提高了器件的机械性能与弹性,使器件满足当代电子器件柔性化的要求。此外,制作工艺简单、器件稳定性好,有利于通过器件的串联,提高器件的输出电压。

    一种基于键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109384189B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201811072690.6

    申请日:2018-09-14

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法,具有传感器芯片,所述的传感器芯片包括二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层内部分布有硅柱,二氧化硅绝热层背面对应所述硅柱位置设有分别中心测温元件、加热元件和上下游测温元件,其中中心测温元件位于二氧化硅绝热层中心位置,加热元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构,上下游测温元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构,且上下游测温元件位于加热元件的外围。本发明利用键合工艺在二氧化硅绝热层中形成硅柱结构,可有效隔绝热量的横向传输损耗,降低传感器功耗,在环境温度变化时,芯片的材料特性变化降低,从而有效抑制了传感器输出结果的温度漂移。

    基于MXene/PANI的高容量线性超级电容器电极的制备方法

    公开(公告)号:CN111223687A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010031152.3

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本发明属于柔性可穿戴储能设备领域,具体涉及一种基于MXene/PANI的高容量线性超级电容器电极的制备方法,将MXene分散液与苯胺的盐酸溶液按比例混合后,在低温下自组装生成MXene/PANI复合材料,再将该材料加入少量去离子水研磨成浆料涂敷在玻璃板上制备复合薄膜,并经冷冻干燥,使用胶带剥离,再通过电机加捻将薄膜制备成线性电极。本发明的线性超级电容器由于MXene和PANI材料在酸性电解液中都能表现额外的赝电容,且相比于湿法纺丝过于紧密的电极结构,机械加捻后电极有更为丰富的孔隙,带来了更高的活性表面积。此外,解决了MXene成膜后脆性较大,机械性能较差的问题。

    一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法

    公开(公告)号:CN110993803A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911230511.1

    申请日:2019-12-05

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能电池领域,公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅;再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置,在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层;用甲醇溶剂冲洗,除去未反应的CsBr或CsCl;最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层,抑制界面复合,加速空穴的抽取,从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3,提升了器件稳定性,对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。

    一种利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法及用其制备钙钛矿太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN108054281B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201711192942.4

    申请日:2017-11-24

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法,首先制备四氯化锡水溶液,然后制备电子传输层SnO2薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,在FTO导电玻璃基底上利用上述SnO2薄膜的制备方法制备SnO2薄膜电子传输层;在SnO2薄膜电子传输层上用旋涂法形成MAPbI3钙钛矿光吸收层;再在MAPbI3钙钛矿光吸收层上采用旋涂法制得空穴传输层;在空穴传输层上用真空蒸镀法蒸镀金属电极,形成钙钛矿薄膜电池。该方法简单,易于操作,并且薄膜的均匀性较好,重复性高,在半导体等光电领域的发展具有科学意义。

    一种高性能的锂/钠电池负极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107634210B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201710872817.1

    申请日:2017-09-22

    Abstract: 本发明涉及一种高性能的锂/钠电池负极材料及其制备方法,采用水热法制备碳纳米管/多孔碳复合导电网络结构材料,采用升华‑凝华法制备红磷/碳纳米管/多孔碳复合材料。该复合材料结构的特点是:导电网络是多孔碳包裹碳纳米管,多孔碳由介孔和微孔组成。复合结构中多孔碳微孔孔道被红磷填充;介孔基本未被填充,通道保持通畅,但是延伸至复合结构表面的介孔孔口被红磷覆盖;复合结构表面没有红磷堆积。利用该材料组装的锂电池和钠电池同时具有高容量、高倍率、高首次库伦效率和高稳定性。

    一种适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置及使用方法

    公开(公告)号:CN107513767B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201710872184.4

    申请日:2017-09-25

    Abstract: 本发明提供一种适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置,包括:石墨外壳,在石墨外壳内,容纳有风屏腔体、石墨导气装置、石墨加热器和坩埚,坩埚的上方分为成型区和溶料区,石墨加热器围绕所述成型区和溶料区,成型区和溶料区相通,成型区的上方设有风屏腔体,石墨导气装置设置在风屏腔体的侧壁的外侧,石墨导气装置与风屏腔体通过陶瓷射流口连通。本发明还提供上述装置的使用方法,本发明所述的适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置及使用方法,利用两侧及中心部位的射流,实现构造稳定的、可控的、均匀的冷却气屏,从而令生长的硅片厚度均匀、生长过程更加稳定。

    一种P+/P/N硒化锑薄膜电池的制备方法

    公开(公告)号:CN109309145B

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201811363991.4

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明属于薄膜太阳电池制备技术领域,具体涉及一种新型的P+/P/N硒化锑薄膜电池的制备方法。这种新型薄膜电池是通过在Sb2Se3表面沉积一层超薄的Al2O3薄膜,使Al2O3层在Sb2Se3层内部扩散,提高Sb2Se3的载流子浓度,从而提高电池效率。具体的制备方法为在FTO玻璃上先采用水浴法制备一层厚度大约为40nm的CdS薄膜,再将得到的CdS用氧等离子处理15min,采用RTE的方法在CdS表面沉积一层Sb2Se3薄膜,然后采用ALD技术在Sb2Se3表面沉积原子层的Al2O3薄膜,最后镀一层厚度为80nm的Au,即得P+/P/N硒化锑薄膜电池。

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