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公开(公告)号：CN1790762A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510126713.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1340215A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN00803557.1
申请日：2000-02-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
Abstract: 一种包括GaN基底的氮化半导体器件,在所述GaN基底的表面至少有一个单晶GaN层,在所述GaN基底上有多个氮化半导体器件形成层。与所述GaN基底接触的器件形成层的热胀系数小于GaN的热胀系数,从而使器件形成层受到压应力的作用。结果可防止器件形成层产生裂纹,从而可改善氮化半导体器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN1249853A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN98803128.0
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN100568550C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510126713.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN100530719C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610004484.2
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧的半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧的半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，其特征在于，所述p导电侧或n导电侧的半导体区域的至少一层氮化物半导体层，是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第一层与第二层积层而成的超晶格层。根据上述结构，可降低元器件的工作电流、电压，实现效率高的元器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465400A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810109931.X
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1964094A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610163962.4
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1832213A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004484.2
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1254869C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02807309.6
申请日：2002-03-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/32 , H01S5/34333 , H01S2302/00
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件，其在第一导电型层与第二导电型层之间具有活性层(12)其采用量子井结构，其中活性层(12)具有至少一层由含有In与Al的氮化物半导体形成的井层(11)及由含有Al的氮化物半导体形成的壁垒层(2)，通过此可得在短波长区发光效率优异的激光元件。特佳的是，该井层(1)由AlxInyGa1-x-yN(0＜x≤1＜0＜y≤1，x+y＜1)形成而该壁垒层(2)由AluInvGa1-u-vN(0＜u≤1，0≤v≤1，u+v＜1)形成。实施该发光元件以得在发光区中短波长光线为380nm的优异效率。
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公开(公告)号：CN1525578A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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