公开(公告)号：CN101523292A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037889.9

申请日：2007-10-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  中岛诚 ,  境田康志 ,  今村光 ,  桥本圭祐 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在半导体器件的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层中使用的叠层体和使用该叠层体的半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件的制造方法包括下述工序：在半导体基板上按照有机下层膜(A层)、含硅的硬掩模(B层)、有机防反射膜(C层)和光致抗蚀剂膜(D层)的顺序叠层各层的工序。包括使光致抗蚀剂膜(D层)形成抗蚀剂图形，按照抗蚀剂图形来蚀刻有机防反射膜(C层)，利用构图化了的有机防反射膜(C层)来蚀刻含硅的硬掩模(B层)，利用构图化了的含硅的硬掩模(B层)来蚀刻有机下层膜(A层)，利用构图化了的有机下层膜(A层)来加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN101523291A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037165.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  竹井敏 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F220/26

CPC classification number: G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。

公开(公告)号：CN101322074A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045563.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  堀口有亮 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02126 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。

公开(公告)号：CN101180579A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680017624.8

申请日：2006-05-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08L83/16 ,  C09D5/00 ,  C09D183/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C09D183/16 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明的课题在于提供一种光刻用下层膜，是在半导体器件制造的光刻工序中使用的下层膜，其可以用作硬掩模，并且不与光致抗蚀剂发生混合；还提供一种用于形成该下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种在半导体器件制造的光刻工序中使用形成光刻用下层膜的组合物，其含有：聚硅烷化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂，其中聚硅烷化合物是在主链具有硅－硅键的聚硅烷化合物。

公开(公告)号：CN1273870C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN02819915.4

申请日：2002-10-04

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  安见由章 ,  水泽贤一

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L63/00 ,  C08G59/1455 ,  C08G59/18 ,  C08G59/3254 ,  C08G2650/56 ,  C08L33/00 ,  C08L71/00 ,  C09D161/06 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31855 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/04

Abstract: 本发明涉及在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，该组合物含有具有5000或其以下重均分子量的聚合物(A)，和具有20000或其以上的重均分子量的聚合物(B)。该组合物提供在有孔和沟槽的凹凸不平的基板上的段差被覆性优异，防反射光效果高，而且不发生与抗蚀剂层的混和，可以得到优异的抗蚀剂图案，具有比抗蚀剂更大的干蚀刻速度的光刻用防反射膜。

公开(公告)号：CN1774673A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010255.0

申请日：2004-04-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11

Abstract: 本发明提供一种在半导体器件制造中的光刻工艺中使用的下层膜，其不会与光致抗蚀剂层发生混合、比光致抗蚀剂具有更大的干蚀刻速度。具体来说，是提供一种形成下层膜的组合物，其含有发泡剂、有机材料和溶剂、或含有具有发泡性基团的聚合物和溶剂，其用于形成在半导体器件制造中使用的多孔质下层膜。由该组合物形成的下层膜，形成了在其内部具有空孔的多孔质结构，可以实现很大的干蚀刻速度。

公开(公告)号：CN1751271A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004773.1

申请日：2004-02-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  岸冈高广 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08L33/14

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。