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公开(公告)号：CN1568297A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN03800236.1
申请日：2003-03-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/21 , C07C17/395 , C07C17/10 , C09K5/04
CPC classification number: C09K5/045 , B01J23/26 , B01J23/42 , C07C17/10 , C07C17/21 , C07C17/395 , C07C19/08 , C09K2205/24
Abstract: 本发明涉及一种生产高纯度五氟乙烷的方法，包括(1)将四氯乙烯氟化的步骤，获得含有杂质的粗五氟乙烷，和(2)使含有杂质的粗五氟乙烷与氧气和/或含氧化合物在催化剂存在下接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1561319A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01801719.3
申请日：2001-06-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/10 , C07C17/395
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/383 , C07C17/395
Abstract: 本发明旨在提供用包含分子中有氯原子的化合物的CF3CHF2高收率制备CF3CF3的方法，以及CF3CF3的用途。本发明方法中，在氟化催化剂存在下，含有CF3CHF2和分子中有氯原子的化合物的气体混合物与氟化氢反应，从而将作为主要杂质的CClF2CF3转化为CF3CF3，并且在稀释气体存在下，使含CF3CF3的CF3CHF2与氟气体在气相进行反应。
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公开(公告)号：CN1561318A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01801119.5
申请日：2001-04-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/389 , C07C17/10 , C07C17/007 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/007 , C07C17/10 , C07C17/38 , C07C17/389
Abstract: 将含有乙烯化合物、烃化合物、一氧化碳和/或二氧化碳的四氟甲烷与平均孔径为3.4－11埃且Si/Al比率为1.5或更小的沸石和/或平均孔径为3.4－11埃的含碳吸附剂接触。由此可以得到有利于工业化生产且具有良好效益的高纯度四氟甲烷。
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公开(公告)号：CN1438979A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01802661.3
申请日：2001-08-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/087 , C07C17/10 , C07C17/383 , H01L21/30 , C11D7/50
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/087 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/38 , C07C17/383
Abstract: 一种八氟丙烷的制备方法，该方法包括在氟化催化剂存在下，于150－450℃温度下，使六氟丙烯与氟化氢在气相中反应得到2H－七氟丙烷的步骤(1)和在没有催化剂存在下，于250－500℃温度下使步骤(1)中所得的2H－七氟丙烷与氟气在气相中反应以得到八氟丙烷的步骤(2)，由该方法可得到能用于制备半导体器件工艺的高纯度八氟丙烷。
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公开(公告)号：CN1386069A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802242.1
申请日：2001-07-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01D53/73 , B01D53/501 , B01D53/56 , B01D53/60
Abstract: 一种处理燃烧废气的方法,它包括给燃烧废气脱硝,用氨对它脱硫,对脱硫产生的废水或洗涤收集到的粉尘灰所得到的废水用碳酸钙过滤,调节滤液的pH值,加入二氧化碳和/或碳酸水溶液,然后加入絮凝剂以使固体物质沉降,然后从上清液中回收氨。将回收的氨加到脱硝后的气体中用于处理燃烧废气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1090163C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN97102132.5
申请日：1997-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/10 , B01J8/0285 , B01J19/088 , B01J2208/00504 , B01J2219/0894 , C07C17/007 , C07C19/08 , C07C21/185
Abstract: 生产四氟甲烷的方法，包括使分子中含有一个碳原子的氢氟化碳与氟气在汽相中、在较高的温度下、在稀释气体的存在下反应。
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公开(公告)号：CN102203104B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200980143306.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/043
Abstract: 本发明涉及使通式(1)所示的烷氧基硅烷在包含碱金属氟化物的催化剂和催化剂活化剂的存在下、在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，HnSi(OR)4-n (1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n是1～3的整数。)。根据本发明的制造方法，通过液相中的烷氧基硅烷的歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，可以解决与溶剂难以分离的问题和由于反应非常慢而不适合工业制造的问题。
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公开(公告)号：CN102666554A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080053035.1
申请日：2010-11-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
Abstract: 本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。
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公开(公告)号：CN102596867A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045917.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/38 , C01B31/00 , C07C17/383 , C07C19/08
CPC classification number: C07C17/383 , C01B7/20 , C07C17/386 , C07C19/08
Abstract: 本发明的课题是提供可以从包含氯化氢的含氟化合物(粗含氟化合物)中有效地分离除去氯化氢来获得高纯度的含氟化合物的含氟化合物的纯化方法。作为解决课题的方法是，本发明的含氟化合物的纯化方法的特征在于，依次包含下述工序(1)和工序(2)：工序(1)，在包含含氟化合物和氯化氢的粗含氟化合物中按照二甲醚与氯化氢的摩尔比(二甲醚(摩尔)/氯化氢(摩尔))为1.3以上的方式添加二甲醚，调制粗含氟化合物-二甲醚混合物(1)；工序(2)，从上述混合物(1)中分离除去氯化氢-二甲醚混合物(2)。
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