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公开(公告)号：CN101828262A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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公开(公告)号：CN101779287A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880025595.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。
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公开(公告)号：CN100505266C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN101160660A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN1087077C
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN95190793.X
申请日：1995-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01D5/145 , G01P3/487 , G01R33/09 , G11B5/00 , G11B5/3903
Abstract: 本发明涉及一种采用铁磁薄膜磁致电阻元件的磁信号检测装置，其利用小的偏磁磁场，通过使薄膜磁致电阻元件在磁化方向实现最佳产生高线性度的最大输出。沿相对于电流I的方向即在基片(1)上的薄膜磁致电阻元件的长度方向成近于56°的方向施加偏磁磁场Hb，使磁化强度M的方向约为45°，以便在电源端(4，5)之间得到高线性的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101878507B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980101172.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 本发明提供能进行稳定动作的电阻变化元件的驱动方法以及实施该方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，将第1极性的写入电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从高向低变化；以及擦除过程，将与该第1极性不同的第2极性的擦除电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从低向高变化；在将第1次到第N次(N大于等于1)的写入电压脉冲的电压值设为Vw1、将第(N+1)次以后的写入电压脉冲的电压值设为Vw2时，满足|Vw1|＞|Vw2|，而且，在将第1次到第M次(M大于等于1)的擦除电压脉冲的电压值设为Ve1、将第(M+1)次以后的擦除电压脉冲的电压值设为Ve2时，满足|Ve1|＞|Ve2|，第(N+1)次的上述写入过程接在第M次的擦除过程之后。
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公开(公告)号：CN101779287B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880025595.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。
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公开(公告)号：CN102047422A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001662.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有：写入过程，将第一极性的写入电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从高向低发生变化，以成为写入状态；消除过程，将与第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从低向高发生变化，以成为消除状态；以及初始过程，在第一次的写入过程之前，将第二极性的初始电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值发生变化，在金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值为R0、写入状态的电阻值为RL、消除状态的电阻值为RH、初始电压脉冲的电压值为V0、写入电压的电压值为Vw、消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下，满足R0＞RH＞RL、且满足|V0|＞|Ve|≥|Vw|。
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公开(公告)号：CN101501849B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN101167138B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580049548.4
申请日：2005-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。
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