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公开(公告)号：CN102047422A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001662.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有：写入过程，将第一极性的写入电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从高向低发生变化，以成为写入状态；消除过程，将与第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从低向高发生变化，以成为消除状态；以及初始过程，在第一次的写入过程之前，将第二极性的初始电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值发生变化，在金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值为R0、写入状态的电阻值为RL、消除状态的电阻值为RH、初始电压脉冲的电压值为V0、写入电压的电压值为Vw、消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下，满足R0＞RH＞RL、且满足|V0|＞|Ve|≥|Vw|。
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公开(公告)号：CN101952893A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980106187.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种能够进行稳定的高速动作的电阻变化元件的驱动方法。该驱动方法是驱动具备对应于被施加的电气脉冲的极性而变迁为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化层(3)、和下部电极(2)及上部电极(4)的非易失性的电阻变化元件(10)的方法，具有：写入过程(S11及S15)，通过写入电压脉冲，使电阻变化层(3)从低电阻状态变迁为高电阻状态；擦除过程(S13)，使电阻变化层(3)从高电阻状态变迁为低电阻状态；在写入过程中，如果设制造电阻变化元件(10)后的第1次的写入(S11)时的写入电压脉冲的电压值为Vw1、设制造电阻变化元件(10)之后的第2次以后的写入时的写入电压脉冲的电压值为Vw，则对电极间施加写入电压脉冲，以满足|Vw1|＞|Vw|。
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公开(公告)号：CN101501849B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN101501851B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN101167138B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580049548.4
申请日：2005-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568506C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680013537.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60-11、60-12、60-21、60-22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60-11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
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公开(公告)号：CN101542730A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101501849A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN1898749A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038984.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。
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公开(公告)号：CN1183516C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN00814080.4
申请日：2000-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/537 , G11B5/0086 , G11B5/105 , G11B5/133 , G11B5/147 , G11B5/1475 , G11B5/255 , G11B5/53 , G11B15/61 , G11B15/62
Abstract: 提供一种磁头磨损小、静止持久时间长的磁头和备有使用该磁头的高速旋转磁鼓装置的磁记录再现装置。因此，在磁头中，将由一对衬底(1)和(3)、(5)和(7)夹持软磁金属材料构成的至少一个磁性膜(2、6)构成的磁芯半体(4、8)配置为由该磁芯半体的各个磁性膜应构成磁路的磁芯半体的端面之间相互对向来形成磁隙(9)，衬底的与磁带的滑动面的至少一部分由非磁性单晶铁氧体材料构成，该非磁性单晶铁氧体材料在上述滑动面的结晶面方位大致为{110}，并且 方向与磁头相对磁带的滑动方向大致平行。
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