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公开(公告)号：CN101676931B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN1829702B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200480022166.8
申请日：2004-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D241/42 , C09K11/06 , H05B33/14
CPC classification number: C09K11/06 , C07D241/42 , C09K2211/1044 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明的课题在于提供具有双极性且有发光性的有机化合物、进一步还具有耐热性的有机化合物。提供由通式(1)所示的喹喔啉衍生物。式中A表示亚烷基链、硅(Si)、氧(O)、氮(N)、硫(S)中的任一个。R1～R8可分别相同或不同，表示低级烷基、芳基、或者杂环残基中的任何一个。R9～R24可分别相同或不同，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、可有取代基的芳基、或杂环残基中的任何一个。
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公开(公告)号：CN101676931A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN100592520C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
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公开(公告)号：CN100541803C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200580038582.1
申请日：2005-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失性的、易于制造的、并可以附加地写入的半导体器件。本发明的半导体器件包括多个晶体管、作为晶体管源极布线或漏极布线的导电层、与多个晶体管中的一个相重叠的存储元件、以及用作天线的导电层。存储元件包含按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层和相变层、和第二导体层。用作天线的导电层与作为多个晶体管的源极布线或漏极布线的导电层设置在相同的层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100539775C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510091472.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2300/0885 , G09G2310/0251 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H05B33/0896
Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种发光器件，其包括通过设计驱动装置具有较小亮度退化的发光元件。另外，本发明的一个目的在于提供一种用于减小发光元件的亮度退化的驱动方法。在本发明中，根据下面的公式(1)随着时间增加在发光元件中流动的电流的电流密度J，其中J0是发光元件中的电流密度的初值，t是发光时间，且k和β分别是由发光元件的特性确定的正参数。J＝J0·exp[(k·t)β] …(1)
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公开(公告)号：CN101073125A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580042067.0
申请日：2005-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/22
Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。
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公开(公告)号：CN101057329A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038582.1
申请日：2005-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失性的、易于制造的、并可以附加地写入的半导体器件。本发明的半导体器件包括多个晶体管、作为晶体管源极布线或漏极布线的导电层、与多个晶体管中的一个相重叠的存储元件、以及用作天线的导电层。存储元件包含按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层和相变层、和第二导体层。用作天线的导电层与作为多个晶体管的源极布线或漏极布线的导电层设置在相同的层上。
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公开(公告)号：CN1957645A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016049.5
申请日：2005-05-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的是获得一种能够将激发三重态转换成光的有机金属配合物、一种能够长时间驱动、发光效率高、且使用寿命长的发光元件、以及一种使用这种发光元件的发光设备。本发明提供一种具有一对电极(一个阳极和一个阴极)且在一对电极之间有发光层，其中该发光层包含以下通式(5)所表示的有机金属配合物、以及能隙大于所述有机金属配合物的化合物和电离势大于所述有机金属配合物而电子亲和性小于所述有机金属配合物的化合物中的一种，并提供使用该发光元件的发光设备。
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公开(公告)号：CN1813382A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018137.4
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01S5/18305 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5265 , H01S5/0425 , H01S5/1096 , H01S5/12 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/36 , H01S2301/04
Abstract: 本发明是一种具有当注入电流时可以发射激光的有机化合物的有机激光器件。为使本发明的激光器件的有机化合物层能够发射激光，根据其波长来确定层积结构和各层的膜厚。在本发明中，在一对电极间形成的、主要成分是有机化合物的薄膜被称为有机化合物层。有机化合物层是通过被夹在一对电极之间形成的，优选使用载流子传输特性以及发光波长不同的多个层来形成。此外，优选的形式是形成隔着反射体的一对电极的所谓谐振腔结构。
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