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公开(公告)号：CN103339715B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180066610.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN111033702B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B41/10 , H10B41/70 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H10B12/00
Abstract: 成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导 与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的 第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝(56)对比文件CN 106409919 A,2017.02.15CN 107004722 A,2017.08.01JP 2016157937 A,2016.09.01JP 2017098535 A,2017.06.01JP 2017120905 A,2017.07.06US 2008002454 A1,2008.01.03US 2013200375 A1,2013.08.08US 2014339539 A1,2014.11.20US 2015053972 A1,2015.02.26US 2015179803 A1,2015.06.25US 2015280013 A1,2015.10.01US 2015349127 A1,2015.12.03US 2016284859 A1,2016.09.29US 2017170211 A1,2017.06.15WO 2017072627 A1,2017.05.04
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公开(公告)号：CN107302018B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710578536.5
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105702741B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610085679.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
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公开(公告)号：CN108630826A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810356708.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极；以及所述一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层、第二发光层以及设置在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一层，所述第一发光层的发射光谱存在于比所述第二发光层的发射光谱短波长一侧，所述第一发光层包括荧光物质和主体材料，所述荧光物质在所述第一发光层中发射光，所述第二发光层包括能够将三重态激发能转换为发光的物质，所述主体材料的单重态激发能级比所述荧光物质的单重态激发能级高，并且所述主体材料的三重态激发能级比所述荧光物质的三重态激发能级低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105794321B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480065816.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种使用荧光及磷光且有利于实用化的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光物质的第一发光层、具有空穴传输性的物质及具有电子传输性的物质的分离层以及包含两种形成激基复合物的有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，从第一发光层发射的光在比第二发光层短波长一侧具有发射光谱峰的发光元件是更有效的。
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公开(公告)号：CN107068766A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710111075.0
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
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公开(公告)号：CN106465506A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580028601.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提高发光元件的发光效率。所述发光元件具有一对电极和在所述一对电极之间的EL层。EL层包括第一发光层、第二发光层。第一发光层包含荧光材料及主体材料。第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物。第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值。第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。
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公开(公告)号：CN105474749A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045915.2
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/524 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有利于实用化的使用荧光发光及磷光发光的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光发光物质的第一发光层以及包含形成激基复合物的两种有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，来自第一发光层的发光在比来自第二发光层的发光更短波长一侧具有发射峰。
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公开(公告)号：CN104025301A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280050475.0
申请日：2012-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42384 , H01L29/78693
Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
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