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公开(公告)号：CN1691167A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510066665.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40％(原子％，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1186772C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN01136657.5
申请日：2001-10-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/259 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/2595 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录介质用反射层或半透明反射层，其特征在于，用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率，而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录介质用反射层·半透明反射层、光信息记录介质以及光信息记录介质用溅射靶。
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公开(公告)号：CN102084421B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980125743.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/258
CPC classification number: C23C14/205 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。
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公开(公告)号：CN101918888B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980102063.5
申请日：2009-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
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公开(公告)号：CN101548324B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200880000927.8
申请日：2008-04-10
Applicant: 索尼碟片数位解决方案股份有限公司 , 株式会社神户制钢所 , 克贝鲁可科研股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种包括反射膜的只读光学信息记录介质，该反射膜具有高反射率，并且在被保持在高温高湿环境中时的耐环境性以及在被保持在高强度光照射环境中时的耐光性和对于重复再生试验的重复再生耐用性方面都很优良。在基板上顺序层压了至少一层反射膜和至少一层透光层的只读光学信息记录介质中，所述反射膜由包括0.01at％～1.0at％的Bi和0.1at％～13.0at％的Cu的Ag基合金构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102197335A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142715.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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公开(公告)号：CN1901054B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610101952.8
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜用于光学信息记录介质并包含作为主成分的Ag、总共1-10原子％的选自Nd、Gd、Y、Sm、La和Ce中的至少一种，以及总共2-10原子％的选自Li、Mg、Al、Zn、Cu、Pt、Au、Pd、Ru和Rh中的至少一种。反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种和/或2-10原子％的选自In、Sn和Pb中的至少一种。一种光学信息记录介质包括该银合金反射膜。一种银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN100339900C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410090068.X
申请日：2004-11-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供(1)光信息记录用铝合金反射膜，以Al为主成分，含有1.0～10.0原子数量%的稀土类元素中的至少1种，此外，含有0.5～5.0原子数量%的Cr、Ta、Ti、Mo、V、W、Zr、Hf、Nb、Ni中的至少1种，(2)在上述铝合金反射膜中，含有1.0～5.0原子数量%的Fe、Co中的至少1种，或含有1.0～10.0原子数量%的In、Zn、Ge、Cu、Li中的至少1种，(3)光信息记录介质，具有上述铝合金反射膜，(4)所述铝合金构成的溅射靶材。根据本发明可以实现具有低导热率、低熔化温度、高耐腐蚀性的与激光标记对应的光信息记录用铝合金反射膜及其形成用溅射靶材、光信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1315003C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
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