公开(公告)号：CN103904166B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410163618.X

申请日：2014-04-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王伟 ,  王丹宇 ,  王苏宁 ,  黎燕 ,  莫德清 ,  朱义年

IPC: H01L31/18 ,  C01B19/00 ,  C03C17/34 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953g Cd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197g TeO2于烧杯中，滴加1mol/L NaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297g Na2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。

公开(公告)号：CN102863046B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210329599.4

申请日：2012-09-09

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  孟志鹏 ,  郭冬冬 ,  王顺利 ,  李培刚

IPC: C02F1/30 ,  C02F1/58 ,  B01J23/52

Abstract: 本发明公开了一种Au/TiO2纳米管阵列对制糖废水的光催化降解的应用。用阳极氧化法在钛片表面制备二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2小时，取出冷却至室温，然后置入1g/L氯金酸和30g/L硼酸的混合沉积液中，在超声条件下，于2.5v直流电下沉积90秒，晾干，得Au/TiO2纳米管阵列。将其置入25mL~50mL制糖废水中，用HCl调节废水pH值为1~2，在253.7nm波长紫外光下照射20小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明最显著的特点是Au/TiO2纳米管阵列是由阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接在超声条件下直流电沉积而获得，并将Au/TiO2纳米管阵列应用于制糖废水的光催化降解，很大程度地降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN102502917B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201110325411.4

申请日：2011-10-22

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  郭冬冬 ,  李浩 ,  李培刚

IPC: C02F1/32

Abstract: 本发明公开了SiC纳米线光催化降解罗丹明B的方法。将0.035g～0.04g除过油的SiC纳米线放入25mL浓度为20mg/L的罗丹明B溶液中，用HCl调节pH值到1～2，在253.7nm波长紫外光下照射6小时，罗丹明B的降解率达到66.09％～67.63％。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是将SiC纳米线应用于光催化降解罗丹明B溶液，并确定了SiC纳米线降解罗丹明B溶液的最优条件。

公开(公告)号：CN101947453B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010293816.X

申请日：2010-09-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  林莎莎 ,  朱义年 ,  郭冬冬

IPC: B01J23/76 ,  B01J37/34 ,  B81B3/00 ,  C02F1/32 ,  C02F103/32

Abstract: 本发明公开了Fe/TiO2纳米管阵列的制备方法及应用于制糖废水的降解。用阳极氧化法在钛片表面制备二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2h，取出冷却至室温，然后置入0.014mol/L Fe(NO3)3溶液中，在超声条件下浸泡10分钟，晾干，得Fe/TiO2纳米管阵列。将Fe/TiO2纳米管阵列置入制糖废水中，用NaOH调节废水pH值为12.5～13.5，在253.7nm波长紫外光下照射20～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明的优点是将阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接经简单的超声浸泡方法制备了Fe/TiO2纳米管阵列，并将其成功应用于制糖废水的光催化降解，大大降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN102000581B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201010293767.X

申请日：2010-09-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  林莎莎 ,  朱义年 ,  郭冬冬

IPC: B01J23/83 ,  B82B3/00 ,  C02F1/30 ,  C02F1/72

Abstract: 本发明公开了La/FeTiO2纳米管阵列的制备方法及应用于制糖废水的降解。用阳极氧化法在钛片表面制备均匀的二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2h，取出冷却至室温，然后依次在0.006mol/l La(NO3)3、0.018mol/L Fe(NO3)3溶液中，在超声条件下各浸泡10分钟，晾干，得La/FeTiO2纳米管阵列。将La/FeTiO2纳米管阵列置入制糖废水中，用NaOH调节废水pH值为12.5～13.5，在253.7nm波长紫外光下照射20～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明的特点是La/FeTiO2纳米管阵列是由阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接经简单的超声浸泡方法制备的，并将La/FeTiO2纳米管阵列应用于制糖废水的光催化降解，降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN101947453A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010293816.X

申请日：2010-09-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  林莎莎 ,  朱义年 ,  郭冬冬

IPC: B01J23/76 ,  B01J37/34 ,  B81B3/00 ,  C02F1/32 ,  C02F103/32

Abstract: 本发明公开了Fe/TiO2纳米管阵列的制备方法及应用于制糖废水的降解。用阳极氧化法在钛片表面制备二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2h，取出冷却至室温，然后置入0.014mol/L Fe(NO3)3溶液中，在超声条件下浸泡10分钟，晾干，得Fe/TiO2纳米管阵列。将Fe/TiO2纳米管阵列置入制糖废水中，用NaOH调节废水pH值为12.5～13.5，在253.7nm波长紫外光下照射20～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明的优点是将阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接经简单的超声浸泡方法制备了Fe/TiO2纳米管阵列，并将其成功应用于制糖废水的光催化降解，大大降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN113121124B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110329970.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周威 ,  钟福新 ,  劳昌玲 ,  王家钰 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/25 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。（1）将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应，冷却，去离子水冲洗三遍后烘干，得到Fe2O3/FTO。（2）将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上，重复1~5次，放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中，于烘箱里反应，即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结，其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。

公开(公告)号：CN112939483B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110058982.X

申请日：2021-01-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周威 ,  钟福新 ,  劳昌玲 ,  王家钰 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C03C17/34 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡，每次取出FTO烘干，如此重复三次，退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中，插入Bi2S3/FTO，在烘箱中反应，得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定性好。

公开(公告)号：CN113121124A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110329970.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周威 ,  钟福新 ,  劳昌玲 ,  王家钰 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/25 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。（1）将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应，冷却，去离子水冲洗三遍后烘干，得到Fe2O3/FTO。（2）将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上，重复1~5次，放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中，于烘箱里反应，即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结，其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。

公开(公告)号：CN108336187B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。