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公开(公告)号：CN106567129A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610996224.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B31/22
CPC classification number: C30B31/22
Abstract: 本发明公开了一种通过离子注入Zn+来控制ZnO单晶中缺陷的方法，该方法通过离子注入将Zn+注入ZnO单晶中以控制缺陷，具体为将ZnO单晶清洗、烘干，采用离子注入机将Zn+注入ZnO单晶中，再在氮气保护下采用快速退火处理5min，退火温度为650～750℃，冷却后取出ZnO单晶样品。采用本发明的方法可以有效控制ZnO单晶中缺陷的类型和浓度，以供更好地进行ZnO缺陷定性研究，该方法控制缺陷稳定，重复性好，可控性强。
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公开(公告)号：CN105762243A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610201685.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0087 , H01L33/14 , H01S5/347 , H01S2301/173 , H01S2304/02
Abstract: 本发明公开了一种p?GaN/ZnO基多量子阱/n?ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p?GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n?ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p?GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n?ZnO层；然后分别在p?GaN及n?ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p?ZnO难以实现的问题，本发明采用p?GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。
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公开(公告)号：CN103194798B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310113963.8
申请日：2013-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn1-x(TM)xO；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于Co和Mn，0＜x＜0.08。本发明还公开了上述过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜的制备方法，由过渡金属及锌的醋酸盐前驱体溶液制备TM掺杂ZnO纳米晶沉淀，然后经分散、旋涂得到过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，为增强多晶薄膜的铁磁稳定性，改进输运特性，还进行了氢等离子优化处理。该方法工艺简单、成本低廉，可在较大范围内调节掺杂浓度，得到的多晶薄膜致密平整、附着性良好，室温下均表现明显的磁滞回线，可应用于量子自旋器件中。
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公开(公告)号：CN102373425A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110342906.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材，交替溅射生长ZnO层和Na层，制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背地真空度抽至1×10-4～1×10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700℃，激光频率为3～10Hz，激光能量为250～350mJ。长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单，所用的设备与现行工艺兼容。
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公开(公告)号：CN100565769C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710156437.4
申请日：2007-10-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的以针尖状ZnO纳米线为阴极的场发射显示器由m×n个显示单元排列组成，每个显示单元包括由绝缘支撑围成的中空框架，中空框架的一个端面自外向内依次有阳极玻璃基板、透明阳极导电层和三基色荧光粉点阵，中空框架的另一个端面自外向内依次有阴极玻璃基板、透明阴极导电层和针尖状ZnO纳米线阵列。采用金属有机物化学气相沉积法制备针尖状ZnO纳米线阵列，按传统工艺制造阳极，封装显示器。本发明的场发射显示器具有低阈值电场强度和高稳定性，亮度高、响应速度快、视角大和色彩逼真、节能环保等方面可与液晶显示器相比，可用于民用和军用显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119315384A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411247206.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法，包括如下步骤：S1、原料共混：将钙钛矿前驱体和聚丙烯腈(PAN)溶于超干二甲基亚砜中，得到混合溶液；其中，所述聚丙烯腈(PAN)与钙钛矿前驱体的质量比为(0.3‑0.4)：1；S2、旋涂成膜：取混合溶液于玻璃衬底上，在惰性气体环境下利用旋涂法旋涂成膜，得到钙钛矿薄膜蓝光增益介质。本发明的方法所制备的钙钛矿薄膜可实现低阈值、高光增益的蓝光激射，在高湿度环境下具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN114736670B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210208562.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: C09K11/06 , C09K11/66 , C01G21/00 , C07C209/68 , C07C211/04 , C07C257/12 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
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公开(公告)号：CN113736448B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110999272.7
申请日：2021-08-28
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改性卤素钙钛矿量子点及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点溶液、有机配体溶液和三价金属卤化物；将所述有机配体溶液和三价金属卤化物加入所述卤素钙钛矿量子点溶液搅拌反应，制得改性卤素钙钛矿量子点。本发明通过有机配体置换卤素钙钛矿量子点的原始配体，同时通过加入三价金属卤化物实现缺陷钝化和/或发光峰位移，获得可以应用于光电器件的纯色卤素钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN114940684B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210573774.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用。卤化铜配合物由卤化铜溶液和有机配体溶液经充分混合均匀后旋涂于基片表面，旋涂过程中原位反应制得。制备得到的卤化铜配合物为薄膜形式，在紫外光激发下或电激发下具有白光发射。本方法制备的卤化铜配合物不含重金属、贵金属和稀土元素，成本低廉，原料易得。制备的卤化铜配合物本身即具有白光发光，应用于白光照明领域可有效避免器件工作时间过长导致的偏色问题。制备的卤化铜配合物薄膜不需要对该配合物进行预先合成再加工到基片上，而是在旋涂过程中原位在基片上形成，十分简便易行。该薄膜可直接作为光转换膜使用，也可再在其上层加工其他功能层制备电致发光器件。
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公开(公告)号：CN114609087B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210271820.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 浙江锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于珀塞尔效应的液体折射率测量系统和测量方法。测量系统包括折射率测量探头、一分二光纤、激光光源、光电探测器、数据采集器和输出终端，折射率测量探头表面设置有荧光玻璃薄层，荧光玻璃薄层的厚度不超过珀塞尔效应的近场作用范围。本发明以珀塞尔效应为基础，避免了传统折射率测量方法中光线穿透待测液体的光路设计。通过物质的荧光寿命对其周围环境折射率的响应，即可实现对少量、非透明液体的折射率测量。
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