公开(公告)号：CN1534782A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031471.5

申请日：2004-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储装置的数据读出方法，具有：在强电介质电容器上施加读出电压的工序；施加了读出电压后的强电介质电容器的电容值动态变化，且检测出反应其动态变化大小的电压的工序。在时刻T，存储有第1数据的存储单元分极非反相时和存储有第2数据的存储单元分极反相时，产生电压差ΔV，读出余量变大。

公开(公告)号：CN1531036A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410039800.0

申请日：2004-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B2235/65 ,  C04B2235/658 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279

Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括：准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；以及将被处理体保持在容器内，通过在加压到2个大气压或1个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使原材料体结晶化的工序，处理气体在被加热到预定温度后，供给上述容器。

公开(公告)号：CN1519942A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410005319.X

申请日：2004-02-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  名取荣治 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。

公开(公告)号：CN1505117A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119519.3

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  Y10T428/12465

Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体薄膜、强电介体存储元件、强电介体压电元件。本发明使用超临界流体形成强电介体膜。超临界流体例如是包含强电介体的构成元素的临界压力以上且在4倍临界压力以下的流体。

公开(公告)号：CN1464861A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802326.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  H01B17/60 ,  H01B19/00 ,  H01L27/10 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。

公开(公告)号：CN1393037A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。

公开(公告)号：CN1365400A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800706.6

申请日：2001-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治

IPC: C23C16/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  H01L41/22

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/483 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L41/314

Abstract: 陶瓷的制法包含在预定区域边供给至少成为陶瓷原材料一部分的物质的活性粒子(100A)和电磁波(200A),边形成陶瓷膜的工序。也可以在前述规定区域上形成由陶瓷原材料一部分的物质构成的膜。还包含在第1陶瓷膜(20a)上供给活性粒子(100A)和电磁波(200A),形成与第1陶瓷膜(20a)的结晶构造不同的第2陶瓷膜的工序。

公开(公告)号：CN106470843B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201580035914.4

申请日：2015-07-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松桥邦彦 ,  名取荣治 ,  百瀬信也

IPC: B41J2/01

CPC classification number: B41J3/4073 ,  B41J11/002 ,  B41J15/16 ,  B41M5/0082

Abstract: 提供了一种记录装置和记录方法。为了抑制所记录的图像的质量由于介质的形状不稳定而变差。提供了一种记录装置(1)，包括：形状调节部(11)，其将介质(M)的形状调节成标准形状；保持部(10)，其在由所述形状调节部(11)调节之后保持所述介质(M)的状态；以及记录部(44)，其具有排放部(6)，所述排放部(6)将液体排放至由所述保持部(10)保持的所述介质(M)上。利用具有这种构造的记录装置(1)，可以抑制所记录的图像的质量由于介质(M)的形状不稳定而变差。

公开(公告)号：CN106470843A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580035914.4

申请日：2015-07-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松桥邦彦 ,  名取荣治 ,  百瀬信也

IPC: B41J2/01

CPC classification number: B41J3/4073 ,  B41J11/002 ,  B41J15/16 ,  B41M5/0082

Abstract: 提供了一种记录装置和记录方法。为了抑制所记录的图像的质量由于介质的形状不稳定而变差。提供了一种记录装置(1)，包括：形状调节部(11)，其将介质(M)的形状调节成标准形状；保持部(10)，其在由所述形状调节部(11)调节之后保持所述介质(M)的状态；以及记录部(44)，其具有排放部(6)，所述排放部(6)将液体排放至由所述保持部(10)保持的所述介质(M)上。利用具有这种构造的记录装置(1)，可以抑制所记录的图像的质量由于介质(M)的形状不稳定而变差。

公开(公告)号：CN100570770C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN02802326.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  C30B1/06 ,  C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  H01B17/60 ,  H01B19/00 ,  H01L27/10 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。