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公开(公告)号：CN106637079A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611097342.5
申请日：2016-12-02
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C23C14/081 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/34 , H01J43/04
Abstract: 本发明公开了一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法。制备掺入金属材料的氧化镁复合薄膜二次电子发射源时，先在金属基底上采用溅射镍靶或溅射氧化镍靶方式沉积一层氧化镍缓冲层，然后再在氧化镍缓冲层之上沉积掺入金属材料的氧化镁复合薄膜。沉积氧化镍缓冲层时，金属基底的温度设置为200‑400℃，镀膜腔中同时通入氩气和氧气或只通入氩气，气压为0.1‑1Pa。氧化镍缓冲层的厚度为5‑90nm，氧化镍晶粒尺寸为3‑20nm。在金属基底上沉积氧化镍缓冲层，有助于在随后沉积掺入金属材料的氧化镁复合薄膜时，减小金属沉积对氧化镁晶粒生长的抑制作用，促进氧化镁晶粒生长，可提高该复合薄膜的二次电子发射性能。
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公开(公告)号：CN104357800B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410558337.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法，由依次制作于基底上的底电极——含纳米晶硅的二氧化硅层(即纳米晶硅颗粒镶嵌在二氧化硅中)——顶电极构成，其中的含纳米晶硅的二氧化硅层采用溅射法结合高温退火工艺制备。在含纳米晶硅的二氧化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氧气的分压比或调节硅靶和二氧化硅靶的溅射功率来控制最后制得的含纳米晶硅二氧化硅层中的硅晶粒的大小和密度分布，使含纳米晶硅二氧化硅层中粒径适中的硅晶粒的密度呈周期性变化的分层分布。此纳米硅薄膜阴极的制作工艺与硅微电子加工工艺兼容，并且电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN105470092A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510808627.4
申请日：2015-11-19
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: H01J43/10 , H01J9/02 , H01J2209/015
Abstract: 本发明公开了一种打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器，包括基架盒体、栅电极及金属基底；所述基架盒体为四分之一圆柱体结构，其中，基架盒体包括底板、第一侧板及第二侧板，底板为圆弧形结构，第一侧板及第二侧板分别与底板的两侧面相连接，金属基底固定于底板的上部，且金属基底的上表面为内凹的弧面，金属基底的上表面上采用磁控溅射法生长有一层氧化物薄膜，金属基底位于第一侧板、第二侧板及底板之间，入射电子经栅电极加速后入射到氧化物薄膜上。该电子倍增器的打拿极的结构均匀，二次电子发射效率高，使用寿命长，并且安装简便。
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公开(公告)号：CN105355529A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510808436.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法，包括基板，基板上设有下电极，电子发射薄膜沉积于下电极上，且下电极与电子发射薄膜之间自下到上依次设有绝缘介质层及上电极，其中，上电极的长度小于绝缘介质层的长度，电子发射薄膜上开设有两个纳米裂缝，两个纳米裂缝位于上电极的两侧，两个纳米裂缝位于绝缘介质层上，上电极及下电极分别与电源的正极及负极相连接。本发明的电流密度及电子发射效率较高。
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公开(公告)号：CN104465294A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410641670.1
申请日：2014-11-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种动态多级串联同轴碟型通道打拿级电子倍增器，包括由内到外依次分布的若干级蝶形打拿极、发射源、电压源以及用于带动各级蝶形打拿极转动的驱动装置，各级蝶形打拿极沿电子的反射路径依次排列，各级蝶形打拿极均包括阴极板、栅电极及弧形支架，栅电极为环形结构，阴极板的横截面为圆弧形结构，各级蝶形打拿极中阴极板的圆心以及旋转轴均重合，阴极板的内侧面上覆盖有反射膜，阴极板固定于弧形支架的圆弧面上，栅电极固定于弧形支架的侧面，栅电极的一端与阴极板的一端固定连接，电压源包括电源及若干电阻，电源及各电阻串联连接。本发明的使用寿命长，阴极板的实际使用面积大，并且电子的有效发射率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714496B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200910218902.1
申请日：2009-11-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所述前基板(1)和后基板(2)中至少一个涂覆有荧光粉层(4)；所述电子源由上电极(7)、绝缘膜(6)和下电极(5)构成；所述下电极(5)平铺在后基板(2)表面，绝缘膜(6)平铺在下电极(5)表面，上电极(7)平铺在绝缘膜(6)表面。本发明的平面气体激发光源与现有的无汞Xe放电型平面荧光灯相比，本发明的平面气体激发光源可提高发光效率，降低工作电压。同时，本发明的平面气体激发光源结构简单，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101661865B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910023966.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅弹道电子发射的平面光源。所述平面光源在前基板和后基板上均制作荧光粉层，前、后基板间以一定的间隔设置一些相互平行的支撑条，在每个支撑条的两个侧面及封接框的两条边的内侧面上制备底电极、多孔硅膜和顶电极或阳极，底电极、多孔硅膜和顶电极三者构成了可产生弹道电子发射的多孔硅阴极，在前、后基板围成的内部空间充入惰性气体。在所述平面光源的电极上施加适当的直流电压后，就会由多孔硅膜向气体空间发射电子，电子与惰性气体原子发生碰撞激发，产生真空紫外线(VUV)以激发荧光粉发光。
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公开(公告)号：CN101114566B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710018565.2
申请日：2007-08-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种平面荧光灯，包括前玻璃基板和后玻璃基板，前玻璃基板的内侧面配置有荧光粉层，后玻璃基板内侧面配置有电极、介质层和荧光粉层，电极分两组，呈条状并平行设置，其中一组电极的侧边配置有许多按一定间隔分布的小突起，将前、后基板对位、封接在一起，内部充入惰性气体。本发明的相邻发光行采用交替放电，利用两组交替放电区域的拼接，可减小或消除相邻发光行之间及相邻微放电之间的非发光区，从而提高平面灯的亮度和亮度均匀性。
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公开(公告)号：CN101315854A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810018280.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极平面光源的制造方法，在配置有电极、介质层和荧光粉层的前、后基板的周边涂覆封接材料，前、后基板间未被密封，用夹具将它们精确对位，并放入一个密闭腔体内，对腔体内部加热、排气，当真空度达到10－4－10－5Pa时停止排气，将放电气体充入腔体内，充气压强选择为80T/Tr至101.3T/Tr千帕，T为充气时基板温度，Tr为室温，封接材料在高温下熔化，之后腔体开始降温，则封接材料逐渐固化，将前、后基板完全密封，当降至室温时，将制成的冷阴极平面光源从腔体中取出，光源内部压强为0.8至1个大气压。采用此制造方法，可简化冷阴极平面光源的制造工艺，降低制造成本，并减小平面光源的厚度。
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公开(公告)号：CN100351985C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510041993.8
申请日：2005-04-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种包含浮动电极的交流等离子体显示屏，包括前玻璃板和后玻璃板。前玻璃板由玻璃板、两组维持放电电极、主浮动电极、隔离浮动电极、介质层和介质保护层构成。后玻璃板由玻璃板、寻址电极、障壁、荧光粉构成。将前玻璃板与后玻璃板封接在一起，经排气、充入单一惰性气体或惰性混合气体，最后封离，即形成等离子体显示屏。本发明相邻显示行之间非放电间隙两端为一对维持放电电极X或一对扫描/维持放电电极Y。在维持放电期间，利用主浮动电极锯齿状边缘和维持电极之间的预放电，降低维持电压，提高发光效率和发光亮度。隔离浮动电极可以起到阻止相邻单元之间放电串扰的作用，最终获得低功耗、高亮度、高对比度的等离子体显示屏。
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