公开(公告)号：CN105206673A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510352212.0

申请日：2015-06-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明题为半导体器件的蜂窝布局。一种制作在碳化硅(SiC)半导体层的表面的半导体器件单元的方法包括在SiC半导体层的表面之上形成半导体器件单元的分段源和体接触件(SSBC)。SSBC包括体接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的体接触件区，其中体接触件部分基本上设置在半导体器件单元的中心之上。SSBC还包括至少一个源接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的源接触件区，其中至少一个源接触件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。

公开(公告)号：CN104347616A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410357144.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  P.M.桑维克 ,  周锐 ,  P.A.罗西

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002

Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。