公开(公告)号：CN101458449B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810186896.1

申请日：2008-09-27

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明 ,  井村和久 ,  三井胜

IPC: G03F1/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。

公开(公告)号：CN101384957B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780005734.7

申请日：2007-02-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 三井胜 ,  佐野道明 ,  牛田正男

IPC: G03F1/56 ,  G03F1/54 ,  G03F1/32

CPC classification number: G03F1/50

Abstract: 本发明提供适于FPD用大型掩模的方法(抗蚀剂涂覆方法或蚀刻方法、洗涤方法等)的掩模基板和光掩模。其为用于制造在透光性基板上具有遮光性膜和具有调整透射量的功能的半透光性膜中至少一个的FPD设备的掩模基板，其特征在于，上述遮光性膜和上述半透光性膜的膜表面的均方根粗糙度Rq为2.0nm以下。

公开(公告)号：CN101025565B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200710006327.X

申请日：2007-02-02

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明

IPC: G03F1/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的缺陷修正方法具有遮断曝光光线的遮光部、透过曝光光线的透光部、减少曝光光线的透过量的灰色调部的，适用于在被复制体上形成膜厚逐步或连续式变异的抗蚀剂图案的灰色调掩膜。在此缺陷修正方法中，上述灰色调部由半透光膜形成。此缺陷修正方法包括在上述灰色调部中确定发生脱落缺陷的待修正区域的工序，在此待修正区域中形成能用来获得与上述灰色调部中正常灰色调部分有相同灰色调效果的精细图案状的修正用遮光膜的工序。

公开(公告)号：CN101346664B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200680049390.5

申请日：2006-12-26

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 三井胜 ,  佐野道明

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/50

Abstract: 本发明提供适合多色波曝光的FPD用大型掩模及掩模坯料。该掩模坯料用于制造在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜的FPD设备，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能，其特征在于，所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中，半透光性膜的透过率(即半透过率)的变动幅度被控制在不足5％的范围内的膜。

公开(公告)号：CN101025564B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710084136.5

申请日：2007-02-16

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 根据本发明的制造方法，以指定的顺序在透明衬底上形成第一光半透射膜和遮光膜，其由每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的材料制成，并且在所述遮光膜上形成有第二光半透射膜，其优选由能够通过与遮光膜的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此，通过每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜和每个都没有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜的组合，可以以减少的采用光刻的写入次数来制造四级光掩模。

公开(公告)号：CN101384957A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005734.7

申请日：2007-02-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 三井胜 ,  佐野道明 ,  牛田正男

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F1/50

Abstract: 本发明提供适于FPD用大型掩模的方法(抗蚀剂涂覆方法或蚀刻方法、洗涤方法等)的掩模基板和光掩模。其为用于制造在透光性基板上具有遮光性膜和具有调整透射量的功能的半透光性膜中至少一个的FPD设备的掩模基板，其特征在于，上述遮光性膜和上述半透光性膜的膜表面的均方根粗糙度Rq为2.0nm以下。

公开(公告)号：CN100337306C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410062541.3

申请日：2004-06-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  佐野道明

IPC: H01L21/00 ,  G03F1/08 ,  G03F1/14

Abstract: 一种可以制造高质量的TFT的半色调膜类型的灰调掩模的制造方法及灰调掩模。一种具有遮光部、透光部和半透光部的灰调掩模的制造方法，具有下述工序：准备在透明基板(21)上依次形成了半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯；在掩模坯上形成与遮光部对应的区域的抗蚀图案(24a)，通过将该抗蚀图案(24a)作为掩模来蚀刻遮光膜(23)，在半透光膜(22)上形成遮光部；其次，在至少包含半透光部的区域中形成抗蚀图案(24b)，通过把该抗蚀图案(24b)作为掩模来蚀刻半透光膜(22)，形成半透光部和透光部。

公开(公告)号：CN101349864B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200810133697.4

申请日：2008-07-18

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明

IPC: G03F1/32 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种光掩模，该光掩模具有透光部和半透光部，通过图案形成在透明基板上形成的半透光膜来形成规定的图案，通过透过该光掩模的曝光光，在被转印体上形成线宽不足3μm的转印图案，该光掩模包括由透光部和半透光部构成的图案，且上述透光部和半透光部的至少一方具有不足3μm的线宽部分。

公开(公告)号：CN101398612B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810168133.4

申请日：2008-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种光掩膜(例如灰度掩膜)，其在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，具有：将掩膜图案(10a、10b、10c)间连接的、不会被转印到转印体的细线状的导电性图案(11a、11b、12a、12b)。该细线状的导电性图案，由半透光膜或者透光膜所形成。

公开(公告)号：CN100562803C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200510084068.3

申请日：2005-07-12

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明

IPC: G03F1/14 ,  H01L21/00 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种灰色调掩模，具有厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，用于具有至少使厚抗蚀剂图形变形的工序的薄膜晶体管基板的制造工序中，半透光部的透射率分布良好，而且与沟道部对应的图形的图形精度良好。在被复制基板上，薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，厚抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域形成部分别由根据在被复制基板上的抗蚀剂是正型还是负型而决定的遮光部或透光部构成，在上述薄膜晶体管基板的制造工序中所使用的灰色调掩模中，半透光部由半透光膜形成，遮光部由遮光膜形成，厚抗蚀剂图形形成部是源电极和漏电极的对置部分，至少在沟道部一侧空出了所希望的裕量区域而被形成。